Napięcie dyfuzyjne(potencjał bariery) złącza p-n ф_B=(kT/q)ln(N_AN_D/n_i²), Szerokość warstwy zaporowej w złączu p-n I_d=√[{2ε_rsε₀(N_D+N_A) ф_B}/q N_AN_D], Szerokość warstwy zaporowej spolaryzowanego złącza p-n I_d=√[{2ε_rsε₀(N_D+N_A) (ф_B-U)}/q N_AN_D] U-napięcie polaryzujące złącza w kierunku zaporowym= -U_R/ przewodzenia +U_F. Polaryzacja złącza p-n w kierunku przewodzenia powoduje zmniejszenie się szerokości warstwy zaporowej, a w kierunku zaporowym powoduje wzrost szerokości warstwy ładunku przestrzennego. Szerokość obszaru ładunku polaryzującego x_d=[(2ε_rsε₀U_cał)/qN]^-1/2, pojemność niesymetrycznego, skokowego złącza n⁺-p polaryzowanego w kierunku zaporowym C=(ε_rsε₀)/ x_d, Prąd nasycenia złącza J_S=q[(D_nn_p0/L_n)+ (D_pp_n0/L_p)] J_S-gęstość prądu nasycenia, D_n-współczynnik dyfuzji elektronów, D_p-współczynnik dyfuzji dziur n_p0-koncentracja elektronów w obszarze typu p, p_n0koncetracja dziur w obszarze typu n, L_n-droga dyfuzji elektronów L_n=√D_nτ_n, L_p- droga dyfuzji dziur L_p= L_n=√D_pτ_p, τ_n-czas życia elektronów, τ_p-czas życia dziur, współczynnik dyfuzji D_p=μ_pф_T, aby prawidłowo obliczyć wartość prądu nasycenia diody, należy sprawdzić wzajemną relację pomiędzy średnią drogą dyfuzji L_p a szerokością bazy tranzystora w_B: w_B>>L_p dioda z długą bazą I_S=(Aqn_i² μ_pф_T)/(L_pN_D), w_B<L_p dioda z krótką bazą I_S=(Aqn_i² μ_pф_T)/(w_BN_D),

Charakterystyka prądowo-napięciowa diody idealnej I=I_S[exp(qU/mkT)-1] m-parametr rekombinacyjny(współczynnik doskonałości złącza), z zależności Shockleya I=I_S[exp(U/ф_T)-1], potencjał elektrokinetyczny ф_T=kT/q k-stała Boltzmana=8,62 10^-5[eV/K] lub 1,38 10^-23[J/K], 1[eV]=1,602 10^-19[J], q-ładunek elektryczny=1,602 10^-19[C], rezystancja różniczkowa r_r= ф_T/(I+I_S), obliczanie wartości prądu w oparciu o charakterystykę statyczną(model nieliniowy) zmianę wartości prądu ∆i przy zmianie napięcia o określoną wartość ∆u obliczamy z równania Shockleya, obliczanie wartości prądu z modelu małosygnałowego diody: ∆i=∆u/r_r, transkonduktancja g_m=(q/kT)I_C=I_C/ф_T=βI_B/ф_T, konduktancja wejściowa g_be=(q/kT)I_B=I_B/ф_T, I_B=I_C/β, parametr dwuelementowego małosygnałowego tranzystora(model typu hybryd Π), r_Π=1/g_be

---