Sprawozdanie z wykonanego ćwiczenia nr 311
Temat: Badanie tranzystora.
Imię i nazwisko: Artur Żochowski
Daniel Kozłowski
WTM Semestr: III Rok: II
Zespł: 7 Data wykonania:29.11.1995
Ocena: Podpis:
Tranzystory warstwowe są to elektroniczne elementy połprzewodnikowe posiadające dwa przejśćia p-n, przy czym w dwóch zestawach:
a) dwa zewnętrzne obszary typu p i jeden wewnętrzny typu n:tranzystor p-n-p
b) dwa zewnętrzne obszary typu n i jeden wewnętrzny typu p:tranzystor n-p-n
Każdy z tych obszarów stanowi jedną elektrodę tranzystora. Obszar wewnętrzny stanowi elektrodę zwaną bazą. Obszary zewnetrzne nazywamy kolektorem i emiterem.
Mechanizm działania dla obu typów tranzystorów jest identyczny, z tą tylko różnicą, że gdzie w tranzystorach p-n-p występują dziury, w tranzystorach n-p-n występują elektrony.
Układy połączeń tranzystorów.
Tranzystor posiada trzy elektrody:emiter,kolektor i bazę. Elektrody te przez analogię do lampy elektronowej odpowiadają katodzie, anodzie i siatce tej lampy. Są trzy możliwe połączenia tranzystora tak aby dawał on wzmocnienie większe od jednośći :
- układ ze wspólną bazą
- układ ze wspólnym emiterem
-układ ze wspólnym kolektorem
TABELE POMIARÓW
I b |
I k |
h21' |
U be |
h11' |
[mA] |
[mA] |
|
[mV] |
|
|
|
|
|
|
0 |
0.1 |
|
0.4685 |
|
10 |
0.5 |
50 |
0.5962 |
59.62 |
20 |
0.9 |
45 |
0.6175 |
30.875 |
30 |
1.3 |
43.33333 |
0.6296 |
20.98667 |
40 |
1.9 |
47.5 |
0.638 |
15.95 |
50 |
2.4 |
48 |
0.6445 |
12.89 |
60 |
2.9 |
48.33333 |
0.6499 |
10.83167 |
70 |
3.4 |
48.57143 |
0.6545 |
9.35 |
80 |
3.9 |
48.75 |
0.6583 |
8.22875 |
90 |
4.4 |
48.88889 |
0.6617 |
7.352222 |
100 |
4.9 |
49 |
0.6647 |
6.647 |
110 |
5.5 |
50 |
0.6673 |
6.066364 |
120 |
6.1 |
50.83333 |
0.6699 |
5.5825 |
130 |
6.7 |
51.53846 |
0.6723 |
5.171538 |
140 |
7.2 |
51.42857 |
0.6746 |
4.818571 |
150 |
7.8 |
52 |
0.6766 |
4.510667 |
160 |
8.4 |
52.5 |
0.6786 |
4.24125 |
170 |
8.9 |
52.35294 |
0.6803 |
4.001765 |
180 |
9.5 |
52.77778 |
0.682 |
3.788889 |
190 |
10.1 |
53.15789 |
0.6835 |
3.597368 |
200 |
10.7 |
53.5 |
0.6851 |
3.4255 |
210 |
11.3 |
53.80952 |
0.6865 |
3.269048 |
220 |
11.9 |
54.09091 |
0.6879 |
3.126818 |
230 |
12.5 |
54.34783 |
0.6892 |
2.996522 |
240 |
13.1 |
54.58333 |
0.6905 |
2.877083 |
250 |
13.7 |
54.8 |
0.6916 |
2.7664 |
I b = |
250 [mA] |
I b = |
200 [mA] |
I b = |
150 [mA] |
I b = 100 [mA] |
|
I b = 50 [mA] |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
I k |
U ke |
I k |
U ke |
I k |
U ke |
I k |
U ke |
I k |
U ke |
[ mA] |
[ V ] |
[ mA] |
[ V ] |
[ mA] |
[ V ] |
[ mA] |
[ V ] |
[ mA] |
[ V ] |
13.8 |
1 |
11.9 |
1 |
8.4 |
1 |
5.3 |
1 |
2.5 |
1 |
14 |
2 |
12.1 |
2 |
8.4 |
2 |
5.3 |
2 |
2.5 |
2 |
14.1 |
3 |
12.2 |
3 |
8.4 |
3 |
5.4 |
3 |
2.5 |
3 |
14.2 |
4 |
12.3 |
4 |
8.5 |
4 |
5.4 |
4 |
2.6 |
4 |
14.4 |
5 |
12.5 |
5 |
8.6 |
5 |
5.5 |
5 |
2.6 |
5 |
14.5 |
6 |
12.7 |
6 |
8.6 |
6 |
5.5 |
6 |
2.6 |
6 |
14.6 |
7 |
12.8 |
7 |
8.6 |
7 |
5.5 |
7 |
2.6 |
7 |
14.8 |
8 |
12.9 |
8 |
8.7 |
8 |
5.6 |
8 |
2.6 |
8 |
14.9 |
9 |
12.9 |
9 |
8.7 |
9 |
5.6 |
9 |
2.6 |
9 |
15.1 |
10 |
13 |
10 |
8.8 |
10 |
5.7 |
10 |
2.6 |
10 |
15.3 |
11 |
13.1 |
11 |
8.8 |
11 |
5.7 |
11 |
2.6 |
11 |
15.5 |
12 |
13.1 |
12 |
8.9 |
12 |
5.7 |
12 |
2.6 |
12 |