Podczas przełączenia tranzystora punkt pracy przemieszcza się po prostej

obciążenia z położenia A do położenia B i z powrotem.

Tranzystor od stanu zatkania (punkt A w obszarze odcięcia) poprzez

obszar pracy, przechodzi do stanu nasycenia (punkt B w obszarze nasycenia).

Tranzystor przechodzi do stanu nasycenia już przy U

CE

= U

CEsat

, to jest po

osiągnięciu położenia B

1

. W tym momencie różnica potencjałów na złączu C-B

jest równa zeru. Przejście punktu pracy do zakresu nasycenia powoduje
polaryzację złącza C-B w kierunku przewodzenia.

Do bazy tranzystora (do obszaru typu p z obszarów typu n) są

wstrzykiwane nośniki mniejszościowe (elektrony) przez złącze emiterowe E-B
oraz kolektorowe C-B.

Następuje gromadzenie dużej ilości nośników mniejszościowych w bazie.

Zmiany położenia punktu pracy tranzystora w procesie przełączania.

prosta
obciążenia

I

C

[mA]

0

U

CE

[V]

I

B

= 5

µ

A

I

B

= 10

µ

A

I

B

= 15

µ

A

I

B

= 20

µ

A

U

CEsat

U

CB

= 0

A

I

B

=0

R

L

U

CC

B

U

CE

= U

CC

obszar aktywny

obszar nasycenia

obszar odcięcia

B

1