Częstotliwości graniczne tranzystora

Wzrost

częstotliwości

sygnału

zmiennego

powoduje

zmiany

małosygnałowych parametrów tranzystora.

Współczynnik wzmocnienia prądowego przyjmuje wartość zespoloną.

Ze wzrostem częstotliwości, przy określonej amplitudzie prądu

wejściowego, maleje amplituda prądu wyjściowego w stosunku do swojej
wartości przy małej częstotliwości.

Występuje również opóźnienie zmian prądu wyjściowego względem zmian

prądu wejściowego.

Reasumując: sygnał wyjściowy jest zmniejszony i opóźniony w stosunku

do sygnału wejściowego. Przyczynami tych zjawisk są: konieczność ładowania
pojemności złączowych (złącz E-B i C-B) w określonym czasie oraz skończony
czas przelotu nośników przez obszar bazy. Zmiany napięcia na złączu E-B
powodują zmiany rozkładów koncentracji nośników mniejszościowych w bazie.
Przy wzroście częstotliwości „rozkłady koncentracji nośników w bazie nie
nadążają za zmianami napięć” na złączu emiterowym.

f

α

– jest to częstotliwość, przy której moduł zwarciowego współczynnika

wzmocnienia prądowego w układzie OB maleje o 3 dB.

f

f

α

0



h

21b



0,707 h

21b0

Przebieg modułu współczynnika wzmocnienia prądowego

tranzystora w układzie OB w funkcji częstotliwości

(skala logarytmiczna)

h

21b0

– wzmocnienie prądowe dla małych częstotliwości f

≈

0.