UA1 Termin2: 1.02.2011
Zadanie 1a.
Dla układu pokazanego na rysunku:
a) dla klucza
K
zwartego oblicz wartość napięcia
wyjściowego
U
wy
,
b) dla klucza
K
zwartego podaj zakres wartości rezystora
R2
, dla którego tranzystor T1 będzie pracował w
obszarze nasycenia (pentodowym) – przyjmij minimalną
wartość napięcia
U
DS
dla tego zakresu równą:
U
DSmin
= –
U
T
,
c) dla klucza
K
zwartego podaj zakres wartości rezystora
R4
, dla którego tranzystor T3 będzie pracował w
obszarze aktywnym (przyjmij jako granicę obszaru
nasycenia i aktywnego wartość napięcia
U
CE
=
U
CEsat
=
U
BEF
= 0,7V),
d) dla klucza
K
rozwartego oblicz wartość napięcia
wyjściowego
U
wy
,
Dane:
R1
= 1M
Ω
,
R2
= 1k
Ω
,
R3
= 1k
Ω
,
R4
= 1k
Ω
,
R5
= 1k
Ω
T2, T3
:
U
BEF
= U
CEsat
= –0.7 V ,
β
>> 1
T1: I
DSS
=
4mA,
U
T
=
U
GSoff
= –2V ,
I
G
= 0
dla obszaru nasycenia:
(
)
2
2
2
1
−
=
−
=
T
GS
DSS
T
GS
T
DSS
D
U
U
I
U
U
U
I
I
UA1 Termin2: 1.02.2011
Zadanie 1b.
Dla układu pokazanego na rysunku:
a) dla klucza
K
zwartego oblicz wartość napięcia
wyjściowego
U
wy
,
b) dla klucza
K
zwartego podaj zakres wartości
rezystora
R2
, dla którego tranzystor T1 będzie
pracował w obszarze nasycenia (pentodowym) –
przyjmij minimalną wartość napięcia
U
DS
dla tego
zakresu równą:
U
DSmin
= –
U
T
,
c) dla klucza
K
zwartego podaj zakres wartości
rezystora
R4
, dla którego tranzystor T3 będzie
pracował w obszarze aktywnym (przyjmij jako
granicę obszaru nasycenia i aktywnego wartość
napięcia
U
CE
=
U
CEsat
=
U
BEF
= 0,7V),
d) dla klucza
K
rozwartego oblicz wartość napięcia
wyjściowego
U
wy
,
Dane:
R1
= 1M
Ω
,
R2
= 1k
Ω
,
R3
= 1k
Ω
,
R4
= 1k
Ω
,
R5
= 1k
Ω
T2, T3
:
U
BEF
= U
CEsat
= 0.7 V ,
β
>> 1
T1: I
DSS
=
–4mA,
U
T
=
U
GSoff
= 2V ,
I
G
= 0
dla obszaru nasycenia:
(
)
2
2
2
1
−
=
−
=
T
GS
DSS
T
GS
T
DSS
D
U
U
I
U
U
U
I
I
R1
R2
R4
R5
wy
U
D
S
G
Ucc=12V
T1
T2
T3
R3
K
R1
T2
R2
R4
R5
wy
U
D
S
G
Ucc=12V
T1
T3
R3
K
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
więcej podobnych podstron