Pamięci półprzewodnikowe stałe

 Autor mgr. inz Andrzej KriegerMEMORY MENU Strona główna Pamięci... Półprzewodnikowe ... budowa wewnętrzna Półprzewodnikowe stałe Kart graficznych Inne rodzaje pamięci Em@il Andrzej Krieger 



Pamięci półprzewodnikowe stałe.
Pamięcią stałą
(ang. ROM - Read Oniy Memory) nazywa się pamięć umożliwiającą podczas
współpracy z innymi elementami mikrosystemu wyłącznie odczytywanie
swojej zawartości.
Podstawowym elementem pamięci stałej o organizacji bajtowej jest
matryca (rys.6), w której można wyróżnić linie bajtów w liczbie równej
liczbie bajtów przechowywanej w pamięci, oraz linie bitów, których
liczba jest równa osiem.

Każda linia bajtu odpowiada jednej komórce pamięci stałej. Zawartość tych komórek jest kodowana następująco:

jeżeli bit bajtu przechowywanego w
danej komórce jest równy O, to linia bajtu tej komórki nie jest
sprzęgnięta z linią wymienionego bitu;
jeżeli bit bajtu przechowywanego w danej komórce jest równy
1, to linia bajtu tej komórki jest sprzęgnięta z linią wymienionego
bitu.

Dekoder adresów przetwarza adres
bajtów na sygnał 1, wprowadzony tylko na tę linię bajtu, która
odpowiada temu adresowi. W wyniku na liniach bitów sprzęgniętych z
wymienioną linią bajtu pojawiają się sygnały 1, wprowadzone na wejścia
wzmacniaczy buforowych odczytu.
Do zmiany informacji
przechowywanej w komórce pamięci stałej konieczna jest zmiana sprzężeń
między linią bajtu tej komórki a liniami bitów. Elementarnymi
sprzęgającymi mogą być rezystory, diody, tranzystory, inwertery MOS.
Rozróżnia się następujące typy pamięci stałych:

Pamięci stałe maskowane (ang. Mask
programmable ROM ), w których elementami sprzęgającymi są rezystory,
usuwane lub wprowadzane w odpowiednie miejsca w jednej z ostatnich faz
procesu produkcji tej pamięci. Zmiana programów zawartych w takiej
pamięci nie jest możliwa.
Pamięci stałe programowalne PROM
(ang. Programmable ROM ),
najczęściej bipolarne, charakteryzujące się tym, że w stanie surowym
mają wszystkie elementy sprzęgające, którymi są mikroskopijne rezystory
niklowo-chromowe. Część ich jest przepalana podczas wpisywania
informacji.


Pamięci stałe reprogramowalne, w których możliwa jest zmiana programu.za pomocą urządzenia zwanego ładowaczem pamięci stałej. Do pamięci tych należą:

pamięci EPROM wpisywanie polega na wprowadzeniu ładunków elektrycznych do pojemności, rozładowujących się ze stałą czasową ok. 100 lat.
pamięci EEPROM
pamięci EAROM do których wpisywanie odbywa się podobnie jak do
pamięci półprzewodnikowej o dostępie swobodnym, z tą różnicą że:
czas wpisywania jest długi, ok. 100//S, przy bardzo krótkim czasie
odczytu pamięci te nie gubią zapisanej informacji przy zaniku napięcia
zasilania.