Charakterystyki tranzystora IGBT
IC = f(UCE ) UGE = const .
IC [mA]
UGE = 7V
zakres nasycenia zakres
liniowy
UGE = 6V
UGE = 5V
UGE = 4V
0
UCE sat
UGE=UT
UCE [V]
~ 0,7 V
Rodzina charakterystyk wyjś ciowych tranzystora IGBT
z kanałem wzbogacanym typu n IC =f(UGE)
UCE =const .
IC [mA]
UCE2
UCE1
UCE2 > UCE1
UT – napięcie progowe 0
UT
UGE [V]
Charakterystyki przejś ciowe tranzystora IGBT
z kanałem wzbogacanym typu n