Rzeczywisty przebieg charakterystyki I( U) odbiega od wykładniczego.

Podczas polaryzacji w kierunku przewodzenia oprócz prą du dyfuzyjnego

Id przez diodę płynie także prą d rekombinacyjny Ir .

Przy polaryzacji zaporowej, oprócz prą du nasycenia Is, w warstwie

zaporowej wytwarza się prą d generacji Ig oraz prą d upływu Iu.

Suma wymienionych prądów jest całkowitym prądem wstecznym złącza p-n.

I

teoretyczna

rzeczywista

UP

0

U

zakres przebicia

złącza

Porównanie charakterystyki teoretycznej i rzeczywistej złą cza p-n.

Występująca w diodach rezystancja szeregowa (będąca sumą rezystancji

obszarów półprzewodnika poza warstwą zaporową, rezystancji styków

i doprowadzeń) powoduje zbliż anie kształtu charakterystyki w kierunku

przewodzenia do liniowej i nachyla ją w stronę osi napię ciowej.

W zakresie polaryzacji zaporowej wartość prądu wstecznego jest

w pewnym stopniu zależna od napięcia i gwałtownie wzrasta przy osiągnięciu

napięcia przebicia UP.