M I N I P R O J E K T Y
Układ zabezpieczający ogniwo Li-Ion
Schematelektryczny ukÅ‚a- wystÄ…pi napiÍcie wysokie, siÍ miÍdzy 2,988V a 3,012V.
Rozładowanie
du zabezpieczającego przed- włączając tranzystor T1 (p- Bardziej praktycznymrozwią-
akumulatorka litowo-
stawiono narys.1. DobierajÄ…c kanaÅ‚owy MOSFET) i odÅ‚Ä…- zaniem bÍdzie niewielkie
jonowego, poniłej
odpowiednio stosunek R1 do czajÄ…c w ten sposÛb obciÄ…Å‚e- zmniejszenie wartoÅ›ci rezys-
zalecanego minimalnego
R2 moÅ‚na ustaliĘ napiÍcie nie od baterii. tancji R1 i R2 i wstawienie
napiÍcia, w znacznym
w punkcie A na np. 3V. Gdy NapiÍcie baterii po odÅ‚Ä…- szeregowo miÍdzyterezysto-
napiÍciebateriiobniÅ‚ysiÍ po- czeniu obciÄ…Å‚enia wzrasta ry wieloobrotowego potencjo-
stopniu obniła jego
niÅ‚ej minimalnego, napiÍcie nieco, przez dodanie rezys- metru. Regulacja napiÍcia
ływotnośĘ. Opisany
w punkcie A staniesiÍ mniej- tora R5 wprowadzono wiÍc przeÅ‚Ä…czania bÍdzie wtedy
układ zabezpiecza przed
sze od napiÍcia w punkcie B. pewnÄ… histerezÍ ukÅ‚adu, za- dokÅ‚adniejsza, a jako R1 i R2
tym akumulator,
NapiÍcie to wynosi: pobiegajÄ…coscylacjom wokÛÅ‚ mogÄ…zostaĘ uÅ‚ytezwykÅ‚ere-
odłączając od niego
VB=1,25V+I*R4=1,37V, punktu przeÅ‚Ä…czania. Przy zystory 1%. Przed rozpoczÍ-
gdzie: zastosowanej rezystancji R5 ciem ułytkowania układuza-
obciÄ…Å‚enie, gdy napiÍcie
I=(V -1,25V)/(R3+R4)= histereza wynosi 92mV. Po- lecane jest dokładne spraw-
obniÅ‚y siÍ do zadanego min
800nA,(V = napiÍcie mini- Å‚Ä…czenie moÅ‚e zostaĘ przy- dzenie jego dziaÅ‚ania za po-
min
progu.
malne). wrÛcone, gdy napiÍcie bate- mocÄ…regulowanegozasilacza.
Wtedy na wyjÅ›ciu wzmac- rii przekroczy3,092V. NapiÍ- EE
niacza operacyjnego LT1495 cie histerezy zwiÍksza siÍ ze
wzrostem rezystancji R5, KonstrukcjÍ urzÄ…dzenia
a zmniejsza siÍ z jej zmniej- oparto na aplikacji firmy Li-
szeniem. Wymagana wiel- near Technology.
kośĘ tego napiÍcia zaleÅ‚y od
impedancji wewnÍtrznej ba-
WYKAZ PODZESPOA
ÓW
teriii od natÍÅ‚enia prÄ…duob-
Rezystory
ciÄ…Å‚enia.
Ustalone przez dzielnik R1: 3,57M&!/1%
R1, R2 napiÍcie przeÅ‚Ä…czania R2: 3M&!/1%
jest w opisanym układzie
R3: 2,05M&!/1%
krytyczne. Jeśli jest ono zbyt
R4: 150k&!/1%
wysokie, ułyteczna pojem-
R5: 10M&!/1%
nośĘbaterii niebÍdzie w peÅ‚-
Rsw: 1M&!
ni wykorzystywana.Jełeli na-
Półprzewodniki
tomiastjestonoza niskie,ba-
IC1: LT1495
teria bÍdzie zbytnio rozÅ‚ado-
T1: IRF7207
wywana z wszystkimi tego
D1: LT1389
groünymi konsekwencjami.
Przy wartościach pokazanych
Artykuł publikujemy na
na schemacie, z uwzglÍdnie-
podstawie umowyz wydawcÄ…
niem tolerancji elementÛw,
miesiÍcznika "Elektor Elec-
napiÍcie przeÅ‚Ä…czania mieÅ›ci
tronics".
Rys. 1.
Elektronika Praktyczna 8/2001
23