Tranzystor IGBT Tranzystory IGBT (ang. Insulated Gate Bipolar Transistor) G bramka struktury MOS (+) E emiter IGBT (zródło struktury MOS) (-) SiO2 - n+ n+ - p j3 Kolektor struktury p-n-p j2 n- Baza struktury p-n-p Dren struktury MOS n+ j1 p+ Emiter struktury p-n-p + + + + C kolektor IGBT (+) Struktura tranzystora IGBT. Tranzystor IGBT łączy w sobie strukturę MOS, występującą w obwodzie wejściowym G E (bramka emiter) oraz strukturę bipolarną, w obwodzie wyjściowym E C (emiter kolektor). Sterowanie prądem płynącym w obwodzie wyjściowym uzyskuje się przy pomocy napięcia wejściowego. E Rp (j3) n-p-n (j2) S G (j2) D p-n-p (j1) C Schemat zastępczy tranzystora IGBT.