DEF pkt


DEFEKTY
Wyró\niamy następujące defekty strukturalne w kryształach:
- Drgania cieplne atomów (fonony)
oraz defekty  zlokalizowane :
- Defekty punktowe
- Defekty liniowe
- Defekty powierzchniowe
Wśród defektów punktowych wyró\niamy:
- luki (wakansje)
- atomy międzywęzłowe
- pary Frenkla
- atomy domieszkowe
- centra barwne
- defekty elektronowe
Defekty liniowe to dyslokacje. Najprostszymi ich przykładami są dyslokacje krawędziowe i
śrubowe.
Defekty powierzchniowe mają strukturę dwuwymiarową. Są to: powierzchnie zewnętrzne
kryształu, powierzchnie wewnętrzne (granice ziaren, płaszczyzny habitus) oraz błędy
uło\enia.
1. Drgania cieplne sieci krystalicznej:
Drgania sieci kryształu rozchodzą się w postaci fal sprę\ystych. W przypadku ośrodka
ciągłego fala sprę\ysta mo\e mieć długość (a zatem wektor falowy k) oraz częstość (a zatem
energie drgań) zmieniające się w sposób ciągły. Inaczej jest w przypadku ośrodka
dyskretnego, jakim jest kryształ. Z powodu periodyczności budowy kryształu, długości fali a
tak\e energia drgań sieci krystalicznej są skwantowane. Poni\szy rysunek pokazuje, \e tylko
fale o pewnych długościach mogą się pojawić w krysztale.
fala o długości 
1
fala o długości 
2
Rys 1. W krysztale tylko wybrane długości fali, przenoszącej drgania atomów, są mo\liwe. Co
więcej, te same wychylenia atomów, mogą być czasem opisane falami o ró\nych długościach.
1
1
d
przemieszczenie
Dany sposób drgań i związaną z nim falę, opisane częstością kołową &! i wektorem falowym
K, przedstawiamy jako cząstkę wirtualną zwaną fononem. Mo\emy powiedzieć, \e fonon jest
kwantem energii sprę\ystej kryształu. Fale dzwiękowe w kryształach zło\one są z fononów,
tak jak fale elektromagnetyczne zło\one są z fotonów.
Wiele danych doświadczalnych świadczy o tym \e energia fal sprę\ystych jest skwantowana,
np.:
- udział sieci krystalicznej w cieple właściwym spada do zera przy T=0,
- promieniowanie X i neutrony są rozpraszane niesprę\yście na krysztale
Fononowi przypisujemy pęd:
(1)
p =hK
gdzie K jest wektorem falowym fononu, zaś '=h/2Ą (h jest stałą Plancka)..
Przypisujemy mu równie\ energię:
(2)
E =h&!
Te dwa parametry fononu (p i E) u\yteczne sÄ… w interpretacji niesprÄ™\ystego rozproszenia
promieniowania na krysztale.
Przypomnijmy najpierw jak opisujemy rozproszenie sprę\yste (kwantów X, neutronów...) na
krysztale. Warunek dyfrakcji mo\na zapisać następująco:
"k = G
(3)
lub
k'-k = G Ò! k + G = k'
gdzie G  wektor sieci odwrotnej, k i k  wektory falowe wiązki pierwotnej i ugiętej.
"k
"
"
"
k
k
Rys 2. Warunek dyfrakcji na krysztale: wektor rozproszenia "
"k=G
"
"
Mo\emy mieć tak\e do czynienia z rozpraszaniem niesprę\ystym (nieelastycznym), któremu
towarzyszy powstanie (kreacja) fononu; wtedy:
(4)
k + G = k'+K
gdzie K  wektor falowy fononu.
Je\eli natomiast fonon ulega absorpcji w procesie rozpraszania to :
(5)
k + G = k'-K
2
Ponadto, w dwóch powy\szych procesach musimy uwzględnić prawo zachowania energii:
kwantów X ('É = 'É Ä… '&!):
(6)
É = É'Ä…&!
gdzie É i É sÄ… czÄ™stoÅ›ciami kwantu padajÄ…cego i rozproszonego.
Oczywiście w przypadku kreacji mamy znak  + , zaś w przypadku absorpcji (anihilacji)
bierzemy  - .
Podsumujmy powy\sze równania przykładowym grafem niesprę\ystego rozproszenia fotonu
na krysztale z kreacjÄ… fononu:
k , É
k, É
K, &!
Rys 3. Niesprę\yste rozproszenie kwantu X na krysztale, któremu towarzyszy powstanie
fononu
Jeśli zamiast fotonu, opisujemy niesprę\yste rozproszenie neutronów lub innych cząstek na
krysztale z powstaniem bądz pochłonięciem fononu, to powy\szy opis pozostaje identyczny;
jedynie inną postać przybiera równanie zachowania energii. Zamiast Równ. 6, napiszemy
wtedy:
(7)
h2k2 h2k'2
= Ä…h&!
2m 2m
(bierzmy pod uwagę energie kinetyczną padających cząstek równą p2/2m= '2k2/2m).
Relacja dyspersji:
Jeśli drgania rozchodzą się w ośrodku ciągłym (np. fala dzwiękowa w powietrzu) to prędkość
fali, v:
(8)
&! &!
v = ½ =  =
2Ä„ K
lub te\:
&! = vK (9)
Prędkość występująca powy\ej jest prędkością fazową, a relacja dyspersji jest liniowa.
Zauwa\my, przy okazji, \e identycznÄ… relacjÄ™ dyspersji ma foton (&!=ck).
3
Inaczej przedstawia się sytuacja w krysztale. Napiszmy równanie ruchu n-tego atomu w
liniowym łańcuchu podobnych atomów.
F F 
n-1 n n+1
Rys 4. Wypadkowa siła działająca na n-ty atom jest wypadkową sił oddziaływania z prawym i
lewym sÄ…siadem (atomy: n+1 i n-1)
Oznaczmy prze u  wychylenie atomu z poło\enia równowagi. Zatem siła wypadkowa
dziaÅ‚ajÄ…ca na n-ty atom (Ç jest  atomowÄ… staÅ‚Ä… sprÄ™\ystoÅ›ci ):
(10)
F = F''-F'= Ç[(un+1 - un )- (un - un-1)]= Ç(un+1 - 2un + un-1)
Równanie ruchu n-tego atomu (o masie m):
(11)
d2un
m = Ç(un+1 - 2un + un-1)
dt2
Rozwiązanie tego równania przedstawia się następująco:
(12)
un = u0 exp[i(Kna - &!t)]
gdzie na=xn jest odległością n-tego atomu od początku układu (czyli jego współrzędną), zaś K
i &! to wektor falowy i częstość kołowa, charakteryzujące falę:
2Ä„
K =
(13)

&! = 2Ä„½
Rozwiązanie (11) mo\na przepisać inaczej jako:
(14)
un = u0 exp[i(Kxn - &!t)]
Podstawiając rozwiązanie (12) lub (14) do równania (11) otrzymujemy warunek:
Ç Ka
&! = 2 sinëÅ‚ öÅ‚
(15)
ìÅ‚ ÷Å‚
m 2
íÅ‚ Å‚Å‚
Jest to relacja dyspersji dla tzw. fononów akustycznych.
4
&!
ośrodek ciągły
kryształ
0
k
Ä„/a
-Ä„/a
Rys 5. Zale\ność dyspersji &!(K) dla fononów akustycznych. Linią przerywaną pokazano
zale\ność dla ośrodka ciągłego
Na rysunku powy\szym wystarczy ograniczyć się do zakresu długości wektora K z zakresu
[-Ą/a, Ą/a] (czyli z pierwszej strefy Brillouina). Wartości K większe od Ą/a odpowiadają
długościom fali mniejszym od 2a, które nie zawierają ju\ \adnych dodatkowych informacji
(por. Rys 1  fala o długości 1 nie jest ju\ potrzebna do opisu wychyleń cząstek;
wystarczająca jest fala o długości 2).
Wyliczmy prędkość grupową, która reprezentuje prędkość przenoszenia energii w ośrodku:
d&! Ç Ka
vg = = a cosëÅ‚ öÅ‚
ìÅ‚ ÷Å‚ (16)
dK m 2
íÅ‚ Å‚Å‚
Zauwa\my, \e dla ośrodka ciągłego (continuum):
Ka
Ka 0 cosëÅ‚ öÅ‚ 1
ìÅ‚ ÷Å‚ (17)
2
íÅ‚ Å‚Å‚
oraz:
Ç
vg = vfaz _ cont = a
(18)
m
Widzimy, \e prędkości grupowa i fazowa fal akustycznych są takie same jeśli przejdziemy do
przypadku ośrodka ciągłego.
Zale\ność dyspersji, która wyprowadziliśmy wy\ej, dotyczy tzw. fononów akustycznych.
Warto bowiem pamiętać \e istnieją dwa rodzaje drgań sieci:
- drgania akustyczne
- drgania optyczne (jeśli mamy sieć dwuatomową)
Poni\ej widzimy ich krzywe dyspersji.
5
&!
drgania optyczne
drgania
akustyczne
k
Ä„/a
Rys 6. Drgania optyczne i akustyczne w krysztale zawierającym dwa rodzaje atomów.
2. Defekty punktowe
Luki (wakansje):
Rys. 7 Luka pojawia się wtedy, gdy nieobsadzony jest węzeł sieciowy
Energia utworzenia luki, Ev, wynosi ok. 1eV. Atom mo\e uzyskać taką energię na drodze
-EV
kT
fluktuacji termicznej (prawdopodobieństwo uzyskania energii Ev: p " e ). W krysztale
zawierającym N atomów (N węzłów sieciowych)  liczba nV luk wynosi:
-EV
(19)
kT
nV E" Ne
nv
W pobli\u temperatury topnienia ciała: Ttopn H"10-3 , a więc bardzo du\o !!!
N
6
nV
W temperaturze pokojowej H" 10-12 , a więc bardzo mało !!!
N
Atomy międzywęzłowe
Rys 8. Atom w poło\eniu międzywęzłowym
Energia wprowadzenia atomu międzywęzłowego Ei H"3-5 eV.
Równowagowa liczba atomów międzywęzłowych w krysztale o N węzłach wynosi:
-Ei
(20)
kT
ni = bNe
gdzie b jest liczbą równowagowych poło\eń międzywęzłowych wokół węzła sieci.
Defekty Frenkla
Je\eli atom sieci przeskoczy z węzła sieci w poło\enie międzywęzłowe to powstaje defekt
Frenkla:
Rys 9. Defekt Frenkla powstaje przy przeskoku atomu z poło\enia węzłowego w
międzywęzłowe
Energia utworzenia defektu Frenkla, EFr:
(21)
EFr H" EV + Ei
7
Domieszki:
Rys 10. Domieszka to obcy atom w sieci kryształu. Mo\e być w poło\eniu węzłowym (jak
powy\ej), mo\e być równie\ w poło\eniu międzywęzłowym.
Domieszki tworzą m.in. defekty elektronowe np. w półprzewodnikach typu p lub n.
3. Własności defektów punktowych
Ogólnie defekty oddziałują między sobą. Przykładowo, atom międzywęzłowy jest
przyciągany do luki; gdy się spotkają  następuje anihilacja obu defektów i sieć w tym
miejscu odzyskuje swój doskonały charakter. Mówimy w takim przypadku, \e nastąpiła
anihilacja defektów przeciwnego znaku (np. luka ma znak +, zaś atom międzywęzłowy
znak -).
Ogólnie, defekty oddziałują między sobą na zasadzie ró\nic rozkładu ładunków elektrycznych
wokół nich.
Defekty punktowe mogą być wytworzone kilkoma sposobami:
- przez podwy\szenie temperatury np. do Ttopn a następnie gwałtowne obni\enie temperatury
do Tpokojowej; w tak uzyskanym stanie metastabilnym mamy du\ą koncentrację defektów,
- poprzez deformację plastyczną (szczególnie du\ą),
- przez napromieniowanie czÄ…stkami o du\ej energii (Ä…, n, p, jony); czÄ…stki takie wybijajÄ…
jony z ich poło\eń; liczba atomów międzywęzłowych jest równa w tym przypadku liczbie
wakansów.
4. Koncentracja luk  rozwa\ania podstawowe
Utworzenie luki wymaga przemieszczenia atomu wewnątrz kryształu; mo\e to być
przemieszczenie do powierzchni kryształu, do granicy ziarna lub te\ do jakiejś dyslokacji.
8
Energia tworzenie luki (wakansji) EV jest ró\nicą energii pomiędzy tymi dwiema sytuacjami
(tzn. przed i po przemieszczeniu atomu).
Rozwa\my energię swobodną kryształu. Ma ona tą ogólną własność, \e w sytuacji równowagi
układu, jej wartość dą\y do minimum. Energię swobodną, F, definiuje się następująco:
(22)
F = E - TS
gdzie : E- energia całkowita, S  entropia, zaś T  temperatura.
Zmiana energii swobodnej przy stałej temperaturze:
(23)
"F = "E - T"S
Wzrost energii całkowitej spowodowany powstaniem n luk wynosi nEV, tak \e :
(24)
"F = nEv - T"S
Zauwa\my, \e jeśli powstaje pewna równowagowa ilość luk, to równocześnie musi wzrosnąć
entropia, tak, aby całkowita energia swobodna nie wzrosła; oznacza to, \e: T"S e" nEv.
IstniejÄ… dwa przyczynki do zmiany entropii:
Sv  entropia wibracyjna pochodząca od drgań cieplnych (wskutek obecności defektów
przybywa nowych sposobów drgań, a tak\e częstotliwości drgań stają się chaotyczne),
SC  entropia konfiguracyjna, która zale\y od liczby ró\nych sposobów uło\enia atomów w
węzłach sieci kryształu (W):
(25)
SC = k ln W
Zauwa\my, \e dla kryształu doskonałego (brak defektów) mamy tylko jeden sposób uło\enia
atomów (atomy są nierozró\nialne). Wtedy: W =1 SC = 0 (kryształ bez defektów).
Wykazuje siÄ™, \e SC >> SV , dlatego w dalszych rozwa\aniach przyjmujemy: S = SC .
Załó\my, \e w sieci o N węzłach jest n luk (zatem N-n węzłów jest obsadzonych atomami);
mo\liwe są ró\ne uło\enia atomów realizujących tą sytuację. Pojawia się pytanie: na ile
sposobów mo\na zatem rozło\yć n luk w N węzłach sieciowych ? Odpowiedz pochodzi z
kombinatoryki i brzmi ona: jest to ilość kombinacji po n elementów z całkowitej ich liczby N.
A zatem ilość sposobów rozło\enia n luk w N węzłach wynosi:
N!
(26)
(N - n)!n!
Całkowity wzrost entropii (równy entropii konfiguracyjnej wprowadzenia n luk) wynosi
zatem:
îÅ‚ N! Å‚Å‚
"S = SC = k lnïÅ‚
(27)
ðÅ‚(N - n)!n!śł
ûÅ‚
Powy\sze wyra\enie mo\emy przekształcić, u\ywając przybli\enia Stirlinga (prawdziwego
dla du\ych x): ln(x!)E" x ln x - x . Otrzymujemy zatem:
9
(28)
"S = k[N ln N - N - (N - n) ln(N - n) + (N - n) - n ln(n) + n]
Wróćmy do energii swobodnej kryształu; wynosi ona:
(29
F = F0 + nEV - T"S
gdzie F0 jest jej wartością początkową (przed wprowadzeniem luk do kryształu). A zatem:
(30)
F = F0 + nEV - kT[N ln N - (N - n) ln(N - n) - n ln(n)]
Równowagową koncentrację luk znajdziemy szukając minimum energii swobodnej:
"F
ëÅ‚ öÅ‚
= 0
(31)
ìÅ‚ ÷Å‚
"n
íÅ‚ Å‚Å‚
T
Wyliczamy pochodnÄ… po n:
"F îÅ‚ (N - n) n Å‚Å‚
= 0 = EV - kTïÅ‚ln(N - n) + - ln(n) -
(32)
śł
"n (N - n) n
ðÅ‚ ûÅ‚
co daje:
îÅ‚ N - n Å‚Å‚
öÅ‚
0 = EV - kTïÅ‚lnëÅ‚
(33)
ìÅ‚ ÷łśł
n
íÅ‚ Å‚Å‚
ðÅ‚ ûÅ‚
Poniewa\ N>>n, więc:
îÅ‚ N Å‚Å‚
0 = EV - kTïÅ‚lnëÅ‚ öÅ‚
(34)
ìÅ‚ ÷łśł
n
íÅ‚ Å‚Å‚
ðÅ‚ ûÅ‚
BiorÄ…c pod uwagÄ™, \e koncentracja luk Cv:
n
Cv =
(35)
N
znajdujemy:
EV
ln Cv = -
(36)
kT
oraz:
EV
ëÅ‚ öÅ‚
ìÅ‚ - ÷Å‚
(37)
CV = eíÅ‚ kT Å‚Å‚
co daje ostatecznie:
EV
ëÅ‚ öÅ‚
ìÅ‚ - ÷Å‚
(38)
nv = NeíÅ‚ kT Å‚Å‚
W ten sposób uzasadniliśmy ściśle Równ. 19 z początku tego rozdziału.
To równanie jest prawdziwe dla wszystkich rodzajów defektów (nie tylko luk), jedyne
ró\nice dotyczą wartości EV. Doświadczalnie stwierdzono, \e dla luk: EV d" 1eV , i jest
wyraznie ni\sza ni\ dla innych defektów. Koncentracja luk przewy\sza zatem znacznie
koncentrację innych defektów w warunkach równowagi.
10
5. Dyfuzja
Obecność luk umo\liwia i ułatwia dyfuzję. Aby mogła ona zachodzić, obcy atom musi się
przemieszczać pomiędzy atomami kryształu macierzystego. Bardzo w tym pomagają wolne
miejsca sieciowe, czyli luki. Do wykonania skoku (przez obcy atom) do najbli\szej luki
potrzebna jest energia migracji (Em). BiorÄ…c pod uwagÄ™ statystykÄ™ Maxwella-Boltzmanna,
prawdopodobieństwo wykonania skoku wynosi:
Em
ëÅ‚ öÅ‚
ìÅ‚ - ÷Å‚
p = AeíÅ‚ kT Å‚Å‚
(39)
zaś prawdopodobieństwo napotkania luki wynosi Cv:
EV
ëÅ‚ öÅ‚ Równ. (37)
ìÅ‚ - ÷Å‚
CV = eíÅ‚ kT Å‚Å‚
Prędkość dyfuzji R jest proporcjonalna do obu powy\szych prawdopodobieństw (R"pCv),
zatem:
(Em +EV Q
ëÅ‚ öÅ‚ ëÅ‚ öÅ‚
ìÅ‚ - ÷Å‚ ìÅ‚ - ÷Å‚
(40)
R = A'eíÅ‚ kT Å‚Å‚ = A'eíÅ‚ kT Å‚Å‚
gdzie Q jest energiÄ… aktywacji dyfuzji:
(41)
Q = Em + EV
Podobnemu mechanizmowi podlega ruch atomów międzywęzłowych. Najłatwiej dyfundują
małe atomy, np: H, C, N, O; ich energia Q jest zazwyczaj połową energii aktywacji
potrzebnej do migracji poprzez pozycje węzłowe (czyli przez luki). Atom międzywęzłowy
przemieszcza się łatwo, gdy\ ma pełno pustych pozycji międzywęzłowych. Natomiast atom
dyfundujący poprzez pozycje węzłowe musi czekać a\ w jego pobli\u wytworzy się jakaś
luka.
Jak widać dyfuzja jest bezpośrednio związana z drganiami i defektami sieci!
6. Centra barwne
Interesującym przykładem defektów punktowych są centra barwne. Spektakularny efekt
centrów barwnych obserwujemy w kryształach halogenków alkalicznych (NaCl, KCl, RbCl,
LiCl, CsCl). Czyste kryształy tych substancji są przezroczyste w całym widzialnym obszarze
widma. Natomiast zabarwiajÄ… siÄ™ one poprzez napromieniowanie (np.: promieniami
rentgenowskimi, strumieniem neutronów czy elektronów). Powstają wówczas np.: centra
barwne typu F. Centrum F jest to luka po jonie ujemnym i związany z nią elektron. Układ taki
posiada swoje charakterystyczne poziomy energetyczne. Są one takie, \e część światła
widzialnego jest absorbowana i dlatego kryształ się zabarwia.
11
_ _
_ _
+ +
+
+ +
+
_
_
_
e- +
+ +
+
_ _
_ _
+ +
+ +
Rys 11. Centrum barwne F powstaje wskutek wybicia z sieci kryształu jonu ujemnego; z tak
powstałą luką związany jest wtedy elektron.
Po prawej stronie pokazano symboliczny sposób prezentacji Centrum F.
Układ dwóch przylegających do siebie Centrów F  tworzy Centrum M, zaś trzy przylegające
do siebie Centra F  tworzÄ… Centrum R.
_
_
+ +
_
_
+ +
_
_
+ +
_
_
+ +
Rys 12. Centrum M  składa się z dwóch przylegających do siebie centrów F
Istnieje jeszcze kilka innych rodzajów centrów tego typu.
12


Wyszukiwarka