Elektronika - gotowe, Jak jest zbudowany i jak działa tranzystor, Jak jest zbudowany i jak działa tranzystor


Jak jest zbudowany i jak działa tranzystor

Ogólnie mówiąc tranzystor jest elementem wzmacniającym sygnały elektryczne. Zasadę budowy tranzystora przedstawiono na rysunku:
0x01 graphic

Składa się on z dwu złącz PN połączonych szeregowo - stąd nazwa tych tranzystorów - bipolarne (dwupolowe). Złącza są umieszczone w obudowie hermetycznej z trzema wyprowadzeniami poszczególnych warstw półprzewodnika. Skrajne warstwy półprzewodnika nazywamy emiterem i kolektorem, a środkową — bazą. W zależności od typu półprzewodnika (N czy P) tworzącego bazę rozróżniamy tranzystory typu NPN lub PNP. Sposób polaryzacji w kierunku przewodzenia tych dwóch typów tranzystorów jest odmienny. Tranzystor typu NPN musi być spolaryzowany tak, by kolektor miał duży potencjał dodatni względem emitera (w zależności od wykonania tranzystora do 15 V lub do 150 V), a baza - mały potencjał dodatni względem emitera (kilkaset miliwoltów). Działanie tranzystorów wyjaśnimy na przykładzie tranzystora NPN. Weźmy pod uwagę tranzystor NPN włączony w układ przedstawiony na rysunku:
0x01 graphic

Tranzystor nie przewodzi (jest zatkany), ponieważ napięcie U'b polaryzuje zaporowo dolne złącze PN (baza-emiter). Złącze górne kolektor-baza jest również spolaryzowane zaporowo przez napięcie (U'b+Uce).
W wyniku zaporowej polaryzacji obu złącz tranzystora ładunki dodat- nie (dziury) gromadzą się w środku bazy, gdyż są odpychane przez pole elektryczne kolektora i emitera, a ładunki ujemne (elektrony) gromadzą się w kolektorze i emiterze, z dala od bazy. Na skutek tego przez oba złącza PN prąd nie płynie, a zatem tranzystor nie przewodzi (jest zablokowany, zatkany).
Po zmianie kierunku napięcia zasilającego obwód bazy tranzystora, złącze baza-emiter będzie spolaryzowane w kierunku przewodzenia:

0x01 graphic

Zauważmy, że napięcie zasilające obwód kolektora jest tak skierowane, że zawsze złącze baza-kolektor jest spolaryzowane zaporowo. Kolektor przyciąga wszystkie ładunki swobodne ujemne znajdujące się w obszarze bazy, a odpycha ładunki dodatnie. Ponieważ baza jest wykonana z półprzewodnika typu P, to możemy założyć, że normalnie nie ma w niej elektronów swobodnych i przez złącze baza-kolektor prąd nie płynie.
W przypadku pozytywnego spolaryzowania złącza baza-emiter przewodzi ono prąd. Elektrony z emitera przechodzą do bazy, a ponieważ baza jest bardzo cienka, to natychmiast dostają się w pole przyciągania kolektora i wskutek tego złącze baza-kolektor przewodzi prąd. Tylko niewielka część elektronów z emitera płynie w obwodzie bazy.
Większość elektronów biegnie do kolektora, ponieważ napięcie kolektor-emiter Uce jest znacznie wyższe od napięcia baza-emiter Ube Rozpływ elektronów w tranzystorze odbywa się według prawa Kirchhoffa. IE=IC+IB Prąd bazy jest znacznie mniejszy od prądu kolektora, a zatem prąd kolektora jest prawie równy prądowi emitera Ic=Ie Tranzystor jest wzmacniaczem prądu bazy - mały prąd bazy powoduje przepływ dużego prądu kolektora, małe zmiany prądu bazy powodują duże zmiany prądu kolektora. Wzmocnieniem prądowym tranzystora B nazywamy iloraz zmian prądu kolektora i zmian prądu bazy. B=dIc/dIb Wzmocnienie prądowe B współczesnych tranzystorów krzemowych ma wartość kilkaset, a nawet kilka tysięcy. Przykładowe charakterystyki tranzystora przedstawiono na kolejnym rysunku:
0x01 graphic

Z charakterystyk wejściowych wynika, że prąd bazy zależy nie tylko od napięcia wejściowego Ube, ale i od napięcia kolektor-emiter Uce. Jest to zrozumiałe, jeśli zważymy, że kolektor wychwytuje z bazy tym więcej elektronów, im większy ma potencjał dodatni.
Charakterystyki wyjściowe tranzystora mają kształt podobny do cha- rakterystyk anodowych pentody. Prąd kolektora początkowo szybko się zwiększa (przy niskim napięciu Uce), a następnie przestaje się zwiększać (tranzystor nasyca się) i prawie nie zależy od napięcia Uce. Wartość prądu kolektora w nasyceniu zależy głównie od prądu bazy.
Istotną rzeczą jest to, że przy prądzie bazy Ib = O prąd kolektora jest większy od zera i ma wartość Ice0 (od kilku do kilkuset mikroamperów - zależnie do typu tranzystora). Jest to spowodowane generacją cieplną ładunków swobodnych w złączu PN baza-kolektor spolaryzowanym zaporowo przez napięcie Uce. Prąd Ice0 nazywamy prądem zerowym kolektora.
Podczas pracy w tranzystorach wydziela się ciepło. Aby nie dopuścić do cieplnego zniszczenia tranzystora, nie wolno przekraczać jego mocy admisyjnej Pa podawanej w katalogach.
Na charakterystyce wyjściowej tranzystora (rysunek powyżej) zakreskowano obszary pracy niedopuszczalnej i niemożliwej. Obszar pracy dopuszczalnej ograniczają: moc admisyjna, dopuszczalny prąd kolektora Icdop i dopuszczalne napięcie kolektor-emiter Ucedop. Powyżej napięcia Ucedop następuje przebicie tranzystora, a powyżej prądu kolektora Icdop — przeciążenie prądowe i w obu przypadkach tranzystor zostaje uszkodzony.
Moc admisyjna tranzystorów P a można zwiększyć polepszając warunki chłodzenia tranzystorów. Wykorzystuje się to w tranzystorach mocy montując je na specjalnych chłodnicach zwanych radiatorami. Radiatory są wykonane z dobrego przewodnika ciepła, np. aluminium lub miedzi.
Prąd zerowy kolektora Ice0 ogranicza obszar możliwej pracy tranzystora. Z tego względu powinien być on jak najmniejszy. Prąd Ice0 silnie zależy od temperatury tranzystora. W temperaturze pokojowej prąd Ice0 tranzystorów krzemowych jest kilkadziesiąt razy mniejszy od prądu Ice0 tranzystorów germanowych.

Ważnym parametrem tranzystorów, w przypadku ich użycia w układach prądu zmiennego, jest maksymalne dopuszczalne napięcie wsteczne baza-emiter Ubem. W przypadku tranzystorów krzemowych najczęściej wynosi ono ok. 5 V. Powyżej tego napięcia wstecznego następuje przebicie złącza baza-emiter, a zatem uszkodzenie tranzystora.
Trzeba zaznaczyć, że tranzystory krzemowe mają wyższe parametry niż germanowe, zwłaszcza jeśli chodzi o stabilność i wytrzymałość termiczną.



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika gotowe Tranzystory szczegóły
Elektronika gotowe Tranzystor polowy złączowy szczegóły
Elektronika - gotowe, Ćw. Tranzystor polowy złączowy, Opis ćwiczenia
Maciej Noskowiak MAŁE ELEKTROWNIE WODNE JAK INWESTOWAC
Elektronika gotowe Różne metody pomiaru częstości drgań elektrycznych szczegó
Elektronika gotowe Wzmacniacz szerokopasmowy i wzmacniacz rezonansowy z obwodem
Elektronika gotowe Analiza składowych harmonicznych impulsów szczegóły
Elektronika gotowe Układ elementarnej pamięci cyfrowej
Elektronika - gotowe, Wykaz ćwiczeń w Pracowni Elektroniki oraz źródła opisu ćwicz, Wykaz ćwiczeń w
Elektronika gotowe ?danie własności stabilizatorów napięcia stałego szc zegó
Elektronika gotowe Wzmacniacze operacyjne wzmacniacz różniczkujący i?łkujacy
Elektronika gotowe Sprzężenia zwrotne we wzmacniaczach szczegóły
Elektronika - gotowe, IBADDIOD
Indukcja elektromagnetyczna i prąd zmienny II, Zadania maturalne działami
memo elektrownia wiatrowa nie jest inwestycja celu publicznegodoc
Elektronika gotowe ?danie nieliniowości procesu wzmacniania we wzmacniaczu jed
Elektronika gotowe Multiplekser,?koder,?multiplekser
Elektronika gotowe Elementy logiczne szczegóły

więcej podobnych podstron