1. DIODA LASEROWA: param., zastos., model pasm.

2. FOTODIODA: param., konstrukcje, schemat zast.

3. FOTOOGNIWO: param., zastos.

4. FOTOREZYSTORY: charakt., czułość prądowa

5. FOTOTRANZYSTOR: ukł.zast. fttran. typu Π

6. GAUSSOTRON: efekt Gaussa, siła Lorentza

7. HALLOTRON: napięcie Halla

8. IZOLACJA ZŁĄCZOWA, IZOLACJA DIELEKTRYCZNA

9. c.d. izolacji dielektrycznej, IZOLACJA ZŁĄCZOWO-DIELEKTR., porównania

10. DIODY LED: charakt., wykonanie, param., model p.

11. IDEALNA STRUKTURA MIS: izolator idealny, energet. model pasmowy, charak. pojemn.-nap., c-MOS

12. rzeczywisty MIS, stany powierzchniowe-typy ak.-don.

13. TRANZYSOTRY polowe MISFET, klasyfikacja, kanały zubożone - wzbogacane, charakt.: przejsciowe, wyjściowe.

14. param. statyczne MISFET, modele dynamiczne, praca z małymi sygnałami, praca nieliniowa

15. MODEL ZŁĄCZ M-S z uwzgl. stanów pow., właściwości prostowinicze

16. ZŁĄCZE M-S: diody Schotkiego, kontakt omowy, uproszczony model,

17. c.d., KONTAKT OMOWY

18. TRANZYSTORY polowe PNFET ze złączem P-N: zasada działania, charak. wyj., przejściowa,

19. c.d., charakt. i par. stat., model statyczny, praca nieliniowa dynamiczna, praca z małymi sygnałami, modele fizyczne,

20. Procesy przejściowe w tranzyst.

21. TECHNOLOGIE: TRANZYSTORY: efekt tyrystorowy, DIODY USB z tranzystorów, struktura diody Schott.

22. TECHNOLOGIE: REZYSTORY, KONDENSATORY, INDUKCYJNOŚĆ, podsumowanie w USB

23. TERMISTORY

24. Elementy przełączające, Tranz. JEDNOZŁĄCZ. UJT - DIODA DWUBAZOWA, charak. z par. statycznymi

25. TRANSOPTORY: rodzaje, parametry.

26. TRANZYSTOR BIPOLARNY: tran. stopowy - epiplanarny, zasada działania, rozkład koncentracji, wsp. wzmocnienia, modele nieliniowe statyczne (Ebers-Moll)

27. charak. statyczne i param., prądy zerowe, MAŁE SYGN., charakterystyki - zjawisko Earlyego, WB, WE, napięcie MAX - przeb. Zenera, napięcie nasycenia.

28. przełączanie, modele dynamiczne (Ebers-Moll), pojemn. złączowa, poj. dufyzyjna, DUŻE SYGNAŁY

29. modele czwórnikowe, modele fizyczne, tranzyst. dużej mocy

30. tranzystor jako element przeł., w stanie nasycenia

31. TYRYSTORY, jednokierunkowe: dynistor tyrystor, stany pracy

32. c.d., tyrystor dwukierunkowy: diak triak

33. UKŁADY SCALONE WARST.: cieńkowarstwowe, procesy technologiczne (rezystory, kondensatory), grubowarstwowe (kondensatory)

34. UKŁADY SCALONE UNIPOLARNE, tranz. MOS z kanałem wzbogaconym zubożanym itp., technologia bramki krzemowej,

35. c.d. bramki krzemowej, technologia CMOS, MIS jako el. pamięci MNOS, FAMOS

36. WARYSTOR

37. WPŁYW TEMPERATURY NA ZŁĄCZE P-N: zakresy: zaporowy, przebicia, przewodzenia - przebicie lawinowe, Zenera

38. Wytwarzanie warstw domieszkowych: Technologia stopowa, epitaksja, dyfuzja, implantacja, porównanie

39. Częstotliwość graniczna tranzystora

40. c.d., def. techniczna

---