1. Omów temperaturowe zależności konduktywności materiału półprzewodnikowego.

Konduktywność półprzewodnika samoistnego opisuje wzór:


We wzorze tym od temperatury zależy koncentracja samoistna n_i oraz ruchliwość μ (μ ~ T^-3/2). Rośnie ona exponencjalnie przy wzroście temperatury, praktycznie identycznie jak n_i , gdyż czynnik potęgowy T^3/2 w funkcji n_i (T) jest znacznie mniej istotny niż czynnik wykładniczy. Temperaturowy współczynnik względnych zmian konduktywności krzemu samoistnego wyraża się wzorem:


Konduktywność półprzewodnika silnie domieszkowanego wyraża się zależnością:

We wzorze tym od temperatury zależy tylko ruchliwość μ (μ ~ T^-3/2). Konduktywność materiału silnie domieszkowanego maleje, przy wzroście temperatury, lecz wyraża się zależnością potęgową, znacznie słabszą od zależności wykładniczej dla materiału samoistnego.


W szerokim zakresie temperatur zależność konduktywności półprzewodnika silnie domieszkowanego od temperatury wygląda następująco:

---