1. Co wiesz na temat koncentracji nośników samoistnych, mniejszościowych i większościowych w materiale półprzewodnikowym.
   

Koncentracja nośników samoistnych n_i to ilość nośników generowanych termicznie w jednostce objętości.

W danej temperaturze, z dwóch różnych półprzewodników w półprzewodniku o mniejszej wartości szerokości przerwy energetycznej, wartość koncentracji samoistnej n_i jest większa. Koncentracja bardzo silnie rośnie przy wzroście temperatury.

W półprzewodniku silnie domieszkowanym typu n nośnikami większościowymi są elektrony, a mniejszościowymi dziury. Koncentracja nośników większościowych w półprzewodniku typu n to n_n, a mniejszościowych p_n. Ponieważ N_D-N_A>>n_i, więc:

W półprzewodniku silnie domieszkowanym typu p nośnikami większościowymi są dziury, a mniejszościowymi elektrony. Koncentracje dziur oznacza się jako p_p, a elektronów n_p. Ponieważ
N_A - N_D >>n_i, więc:

---