PROJEKT Z ELEKTRONIKI
MARIUSZ RAJKO
s.5578 gr. 324
Tranzystor bipolarny typu p-n-p, schemat służący do wyznaczania charakterystyki wejściowej
Charakterystyka wejściowa:
Tranzystor bipolarny typu p-n-p, schemat służący do wyznaczania charakterystyki wyjściowej
Charakterystyka wyjściowa:
Korzystając z zadania 1 wyznaczam punkt pracy. W związku z tym prowadzę prostą obciążenia, która łączy wartość Ec=15V oraz wartość I ustaloną przeze mnie. Najczęściej stosuje się wartość znajdującą się ponad wykreślonymi charakterystykami. W tym przypadku użyłem 22mA.
Następnie dzielę prostą obciążenia na 2 równe części otrzymując punkt pracy. Następnie rzutuję ten punkt na oś X, w celu odczytania wartości Uce oraz na oś Y, w celu otrzymania wartości Ic.
Z wykresu odczytuję wartość Uce=7,5V oraz wartość Ic =11mA. Możemy odczytać także wartość, Ib która w tym przypadku wynosi ok11,5uA. Aby odczytać kolejną wartość potrzebną do dalszych obliczeń musimy posłużyć się wykresem charakterystyki wejściowej tranzystora.
Na wykresie charakterystyk wejściowych tranzystora zaznaczam wartość Ib odczytaną z poprzedniego wykresu i rzutuje ją do momentu przecięcia z krzywą charakterystyki. Miejsce przecięcia przenoszę na oś x i z niej odczytuje kolejną wartość: Ub=755mV.
Wzmocnienie prądowe tranzystora:
Zakładam, że
oraz że Ie równy jest w przybliżeniu Ic.
Wracając do powyższego założenia
Aby policzyć Rb muszę najpierw policzyć spadek napięcia na oporniku Rb
Aby móc policzyć rwe potrzebujemy wartości
,
oraz
Gdzie:
k(stała Boltzmana)
q ( ładunek elektryczny)
T(współczynnik temperaturowy)
C = 25+273= 298
K
Zakładam że Ie ~ Ic
Do policzenia wzmocnienia napięciowego (Ku) i prądowego (Ki) potrzebuje transkonduktancje tranzystora gm określoną wzorem:
Zakładam ze dla obliczenia C1 oraz C2 wykorzystuje 0,1 fd:
zakładam że przez opornik R1 płynie prąd 11*większy niż Ib i wyliczam go ze wzoru: