F-siła, q-ład.elektr.cząstki, E-natężenie pola elektr., B- indukcja mag. , v- prędkość cząstki 6. Zjawisko Halla TYPU N TYPU P zwiększenie konduktywności półprzewodnika pod wpływem promieniowania świetlnego. Energia fotonów promieniowania pozwala na przechodzenie elektronów do pasma przewodnictwa. Największa długość fali promieniowania wywołującego efekt fotoprzewodnictwa to długość progowa. Zależy ona od szerokości pasma zabronionego. Na skutek dyfuzji elektrony i dziury (z obszarów graniczących ze sobą) przechodzą z obszarów o dużej koncentracji tam, gdzie ich koncentracja jest mniejsza. Powstaje pole zaporowe Ezap, które po osiągnięciu odpowiedniej wartości hamuje dyfuzję.

STAN RÓWNOWAGI KIERUNEK PRZEWODZENIA ELEMENTY ZŁĄCZOWE : 1. DIODY PROSTOWNICZE ( Ge, Si, Se ) – PRZEWODZENIE JEDNOKIERUNKOWE, 2. DIODY ZENERA ( Ge, Si ) – STABILIZACJA NAPIĘCIA, 3. FOTODIODY ( Ge, Si, Se ) – PRZETWARZANIE SYGNAŁU ŚWIETLNEGO (PROMIENIOWANIA) NA SYGNAŁ ELEKTRYCZNY, 4. OGNIWA FOTOELEKTRYCZNE ( Ge, Si ) – PRZEMIANA ENERGII ŚWIETLNEJ PROMIENIOWANIA NA ELEKTRYCZNĄ, 5. OGNIWA SŁONECZNE ( a-Si:H –uwodorniony krzem, CdS, CdTe ) – PRZEMIANA EN. PROMIENIOWANIA SŁONECZNEGO NA ENE. ELEKT. 6. TRANZYSTORY ( Ge, Si ) – WZMOCNIENIE SYGNAŁÓW PRĄDOWYCH LUB NAPIĘCIOWYCH, 7. DIODY ELEKTROLUMINESCENCYJNE ( GaAs1-xPx ) – EMISJA ŚWIATŁA POD WPŁYWEM PRĄDU, 8. TYRYSTORY –DZIAŁANIE JAK TRANZYSTORY - STEROWANE, 9. LASERY ZŁĄCZOWE (GaAs, GaAsP) – WZMACNIANIE SWIATŁA PRZEZ WYMUSZONĄ EMISJĘ PROMIENIOWANIA ELEMENTY OBJĘTOŚCIOWE : 1. FOTOREZYSTORY ( PbS, Bi2S3 , CdS ) – ZMIANA REZYSTANCJI POD WPŁYWEM ŚWIATŁA, 2. OGNIWA TERMOELEKTRYCZNE (związki Bi, Te, Se i Sb ) – PRZEMIANA EN. CIEPLNEJ W ELEKTRYCZNĄ Z WYKORZYSTANIEM ZJAWISKA SEEBECKA 3. TERMISTORY ( BaTiO3 , Fe2O3&TiO2 ) ZMIANA REZYSTANCJI POD WPŁYWEM TEMPERATURY, 4. WARYSTORY ( ZnO, SiO ) – ZMIANA REZYSTANCJI POD WPŁYWEM NAPIĘCIA, 5. HALLOTRONY – CZUJNIKI HALLA ( InSb, InAs ) – POMIAR PRĄDU, INDUKCJI MAGNET. 12. Dioda półprzewodnika element z półprzewodnika zawierający jedno złącze –najczęściej pn z dwiema końcówkami wyprowadzeń. Zastosowanie w ukł. prostowania prądu zmiennego,w ukł. modulacji i detekcji, przełączania, generacji i wzmacniania sygnałów elektrycznych. Obszar przewodzenia obszar zaporowy obszar przebicia 13. Dioda Zenera krzemowa dioda półprzew. Małej mocy i małej częstotliwości; Stosowana jako źródło napięcia odniesienia w stabilizatorach oraz jako element zabezpieczający i przeciwprzepięciowy. Po przekroczeniu napięcia przebicia nagle,gwałtownie rośnie prąd. 14. Fotodioda - element złącza pn z warstwą samoistną (niedomieszkowaną); Prąd przewodzenia złącza p-n zwiększa się wraz ze wzrostem strumienia świetlnego. Złącze musi być spolaryzowane zaporowo z zewnętrznego źródła napięcia. Stosowana do przetwarzania sygnału świetlnego na elektryczny. 15. Warystor – zastosowanie :W ukł. nis. napięcia: - w układach stabilizacji napięcia, - do gaszenia iskrzeń na stykach, - zabezpieczenia od przepięć komunikacyjnych, - w telefonii, telewizji. W ukł. wys. napięcia: - w odgromnikach zaworowych. Półprzewodnikowy nieliniowy rezystor (rezystancja zalezy od napięcia elektr.) ; dla małych napięc duża rezystancja, po przekroczeniu pewnej wartości danego warystora rezystancja szybko maleje. wytwarzane są metodą spiekania sprasowanych proszków tlenków cynku i bizmutu. 16. Hallotron zastosowanie do pomiarów Indukcji magnetycznej i natężenia prądu; Mocy prądu stałego i zmiennego; Rezystancji; Kąta obrotu, przesunięcia ORAZ w układach logicznych do: Dodawania; Odejmowania; Mnożenia itd.. Wykonywane są na bazie materiałów półprzewodnikowych o dużej ruchliwości nośników ładunku , z materiałów litych oraz w technologii warstwowej, na przykład przez napylanie próżniowe na podłoże ceramiczne lub mikę. zasada działania opiera się na efekcie halla (wystąpienie różnicy potencjałów w przewodniku, w którym płynie prąd elektr. , gdy przewodnik znajduje się w poprzecznym do płynącego prądu polu mag.)