PP>WE>Z>AiR>Inż>Sem3	Elektronika	Rok ak.2015/16 (s.zim.)
...	Ćw. 5 Badanie tranzystorów polowych BS170 i BF245 (płytka: tranzystory)	Data wyk.ćw.: 29.11.15
Grupa ...	Ćwiczenie 05	Zajęcia 3

1. Schematy układów i najważniejsze parametry katalogowe badanych tranzystorów.

   1. Tranzystor BS170

      1. Schemat układu

Rys. 1) Schemat podłączenia układu dla tranzystora BS170

1. Najważniejsze parametry katalogowe.

Tab. 1) Parametry katalogowe tranzystora BS170

Parametr	Wartość parametru
Dopuszczalne napięcie dren-źródło UDS max	60 V
Dopuszczalne napięcie bramka-źródło UGS max	±20V
Dopuszczalny prąd drenu ID max	500mA
Prąd wyłączenia ID(OFF)	0,5µA
Rezystancja statyczna włączenia RDS(ON)	1,2-5Ω

1. Tranzystor BF245

   1. Schemat układu

Rys. 2) Schemat podłączenia układu dla tranzystora BF245

1. Najważniejsze parametry katalogowe

Tab. ) Parametry katalogowe tranzystora BF245

Parametr	Wartość parametru
Dopuszczalne napięcie dren-źródło UDS max	±30V
Dopuszczalne napięcie bramka-źródło UGS max	30V
Dopuszczalny prąd drenu ID max	100mA
Dopuszczalny prąd bramki IG max	10mA

1. Wykresy charakterystyk i wyznaczone na ich podstawie wartości parametrów

   1. Tranzystor BS170

      1. Charakterystyka przejściowa

Rys. 3) Charakterystyka przejściowa tranzystora BS170

1. Charakterystyka wyjściowa

Rys. 4) Charakterystyka wyjściowa tranzystora BS170

1. Wartości parametru wyznaczone na podstawie charakterystyk

Napięcie progowe:

U_T=2V

Maksymalna wartość transkonduktancji:

$g_{m} = \frac{{\partial I}_{D}}{{\partial U}_{\text{GS}}}\text{dla}\ U_{\text{Ds}} = \text{const}$

Tab.3) Maksymalna wartość transkonduktancji dla tranzystora BS170

Zworki 2-2(BS170)
UGS=2,5V
UGS=2,7V

Wartości prądów (I_D) przy napięciu U_GS=0V:

I_D=0mA

1. Tranzystor BF245

   1. Charakterystyka przejściowa

Rys. 5) Charakterystyka przejściowa tranzystora BF245

1. Charakterystyka wyjściowa

Rys. 6) Charakterystyka wyjściowa tranzystora BF245

1. Wartości parametru wyznaczone na podstawie charakterystyk

Napięcie progowe:

U_T=-5V

Maksymalna wartość transkonduktancji:

$g_{m} = \frac{{\partial I}_{D}}{{\partial U}_{\text{GS}}}\text{dla}\ U_{\text{Ds}} = \text{const}$

Tab.4) Maksymalna wartość transkonduktancji dla tranzystora BF245

Zworki 1-3(BF245)
UGS=-4,5V
UGS=-1V
UGS=0,5V

Wartości prądów (I_D) przy napięciu U_GS=0V:

I_D=12mA

1. Porównanie właściwości badanych tranzystorów
   -tranzystor BF245 osiąga duże mniejsze wartości transkonduktancji
   -W tranzystorze polowym złączowym JFET prąd drenu (I_D=12mA) płynie przy napięciu sterującym U_GS =0 , co widać na charakterystyce 2.2.1. Tak samo zachowują się tranzystory z izolowaną bramką z kanałem zubożanym. Tranzystory polowe z kanałem wzbogacanym przy takim samym napięciu U_GS =0 nie przewodzą prądu ( widać to na charakterystyce 2.1.1). Z takich zachowań w przewodzeniu prądu wynika to, że tranzystory JFET oraz MOSFET z kanałem zubożanym nazywane są normalnie włączonymi, a tranzystory MOSFET z kanałem wzbogacanym - normalnie wyłączonymi.

2. Uwagi
   -BS 170 tranzystor polowy z izolowaną bramką z kanałem wzbogaconym typu n
   -BF 245 tranzystor polowy złączowy z kanałem typu n
   -podczas badania tranzystorów widać tendencję do zmiany prądu płynącego przez tranzystor (brak stabilizacji pomiarów na amperomierzu), może to wynikać z nagrzewania się tranzystora podczas pracy,