1)większość podłoży krzemowych wytwarzana jest metodą:

a)czochralskiego b)bridgmana c)movpe

2) węglik krzemu w technologii przyrządów półprzewodnikowych jest stosowany:

a)do wytwarzania tranzystorów mocy

b)jako podłoże w technologii GaN c)do wytwarzania laserów ultrafioletowych

3)homoepitaksja to osadzanie warstwy arsenku galu na podłożu:

a)GaAs b)SiC c)SiGe

4)metodą MOVPE można osadzać: a)domieszkowane warstwy epitaksjalne b)polimery

c)heterostruktury półprzewodników złożonych

5)do wytwarzania dielektryków stosujemy metody: a) czochralskiego b)CVD c)utlenianie termiczne

6)proces utleniania termicznego krzemu prowadzony jest typowo w temperaturze a)900-1200C b)<900C c)>1300C

7)w procesie dyfuzji ze skończonego źródła domieszki stała jest: a)powierzchnia podłoża

b)głębokość złącza c)suma liczby atomów domieszki w podłożu i na jego powierzchni

8)w procesie implantacji głębokość wnikania atomów domieszki zależy od: a)dozy jonów b)energii wiązki c)powierzchni podłoża

9)wygrzewanie poimplantacyjne stosuje się w celu: a) aktywacji domieszki b)zmiany szerokości przerwy wzbronionej materiału c)regeneracji struktury krystalicznej

10)w półprzewodniku domieszkowanym na typ p występuje duża koncentracja:

a)dziur w paśmie przewodnictwa b)dziur w paśmie walencyjnym c)elektronów w paśmie przewodnictwa

11)z jakiej techniki litograficznej uzyskuje się najmniejsze wymiary wzorów

a)litografię DUV b)jonolitografię c)litografię EUV

12) w fotolitografii EUV stosuje się maski; a)transmisyjne b)refleksyjne c)szklane

13)w technologii struktur półprzewodnikowych wiązkę elektronową stosuje się do: a)nanolitografii

b)wytwarzania masek do fotolitografii c)do trawienia

14)warstwa trawi się anizotropowo tj.:a)z tylko prostopadle do powierzchni b)z różną szybkością w różnych kierunkach c)z jednakową szybkością w różnych kierunkach

15)w technice RIE stosuje się: a)zjonizowane gazy reagujące z materiałem b) bezwodniki alkoholi

c)zjonizowane gazy niereagujące z materiałem