Konduktywność: $\gamma = \frac{l}{R \bullet s}$
Rezystywność: $\rho = \frac{R \bullet s}{l}$
Zależność rezystywności elektrycznej od temperatury:
ρ = ρ₂₀(1+α_pΔT) lub ρ = ρ₂₀(1+α₂₀(T−20))
Przyrost temperatury ponad temperaturę otoczenia: $\Delta\upsilon = \Delta\upsilon_{u}(1 - e^{- \frac{t}{\tau_{1}}})$
Δυ_u- różnica między temp końc. a początkową przewodu
Obciążalność długotrwała przewodu:

$$I_{Z} = \sqrt{\frac{\Delta\upsilon_{\text{dop}} \bullet s \bullet s_{0} \bullet \alpha_{C}}{\rho}}\backslash n$$

$$R_{\text{iz}} = \frac{R_{s} \bullet R_{p}}{R_{s} + R_{p}}$$

Rezystancja skrośna R_s:
kondensator płaski: $R_{s} = \rho_{s}\frac{a}{s}$
a – grubość materiału; s – powierzchnia elektrod

kondensator walcowy: $R_{s} = \frac{\rho_{s}}{2\text{πl}}\ln\frac{r_{2}}{r_{1}}$
l – długość elektrod walcowych

$$R_{p} = \rho_{p}\frac{a}{b}$$

a – odległość między elektrodami pomiarowymi;
b – szerokość elektrod

Dla cylindrycznych elektrod: $R_{s} = \frac{\rho_{p}}{2\pi}\ln\frac{r_{2}}{r_{1}}$
Rezystywność skrośna ρ_s: $\rho_{s} = \frac{\pi\ {(d + g)}^{2}}{4 \bullet a}*R_{s}\ \lbrack\Omega m\rbrack$

d – średnica elektrody pomiarowej [mm] ;
a – grubość badanej próbki [mm] ;
g – szerokość szczeliny miedzy elektrodą pomiarową a ekranującą

Rezystywność powierzchniowa ρ_p:

$$\rho_{p} = \frac{\pi\ (d + g)}{g} \bullet R_{p}\ \lbrack\Omega\rbrack\backslash n$$

R_T0, R_T – rezystancja termistora w temp. T₀ i T

$$B = \frac{\ln{R_{T_{0}} - \ln R_{T}}}{\frac{1}{T_{0}} - \frac{1}{T}}$$

$$\alpha_{T} = - \frac{B}{T^{2}}$$

$$\mu = \frac{B}{H} = \tan\alpha$$

$$\Delta p_{h} = \Delta p_{h1}\frac{f}{f_{50}}\left( \frac{B_{m}}{B_{1}} \right)^{k}$$

Δp_h1 – stratność histerezowa blach (dla B₁ = 1T,  f₅₀ = 50 Hz) ;
B_m – wartość maksymalna indukcji; k – współczynnik

Straty na prądy wirowe Δp_w

$$\Delta p_{w} = \frac{4}{3}\frac{1}{\rho\ \bullet m_{V}}(\sigma_{k}\ B_{m}\ f\ {d)}^{2}\backslash n$$