ei fr

POLITECHNIKA POZNAŃSKA

INSTYTUT ELEKTROTECHNIKI I ELEKTRONIKI PRZEMYSŁOWEJ

Zakład Energoelektroniki i Sterowania

Laboratorium Elektroniki i Energoelektroniki

Temat ćwiczenia: Tranzystor polowy i jego stany pracy.

Wydział Elektryczny

Studia stacjonarne I-ego stopnia

Rok studiów : II

Nr grupy: 112

Uwagi :

  

  1. Cele ćwiczenia.

Celem ćwiczenia jest poznanie właściwości tranzystora polowego JFET i MOSFET

oraz sposobu pomiaru charakterystyk ,na których podstawie wyznaczane są parametry tranzystora. Ćwiczenie ma także wykazać różnice pomiędzy tranzystorami oraz pokazać układy pracy w których pracują tranzystory polowe ,porównując własności tych układów.

  1. Wykorzystane przyrządy.

  1. Badane elementy.

Parametry graniczne: UDS= 60V; UGS = + 20V; (tp50µs) UGS MAX= ±40 V

ID = 0,5A ; PD = 350 mW ; Tj,Tstg = -55 ~ +150 °C.

Parametry graniczne : UDG = 30; UGS = -30 ; IGF = 10 mA ; PD = 350mW

Tj Tstg = -55 ~ +150°C.

4.Wykonane pomiary.

- Tranzystor MOSFET BS170.

UGS [ V] IG [ µA] UDS [ V] IDS [mA] Y21 [ms] Y22 [µs] dz
2,6 0,2 4,88 17,25 120 250 5
2,6 0,2 1,89 18,09 114 2 2
2,6 0,2 10,12 14,12 47,7 7 10
2,6 0,2 5,14 12,98 44,8 210 5
2,6 0,2 3,04 12,51 43 220 2
2,5 0,2 10,11 9,4 74 170 10
2,5 0,2 5,14 9,5 68,6 150 5
2,5 0,2 3,04 9,25 66 150 2
2,4 0,2 10,12 5,61 23 120 10
2,4 0,2 5,15 5,1 21 110 5
2,4 0,2 2,03 4,94 20,7 100 2
2,4 0,2 10,16 3,45 23,2 120 10
2,4 0,2 5,15 5,25 21 100 5
2,3 0,2 3,06 2,94 21 100 2

-Tranzystor JFET BF245B

UGS [ V] IG [µA] UDS [V] IDS [mA] Y21 Y22 dz
0,9 3,2 7,46 12,28 12,7 150 7,6
0,9 3,1 6,01 19,04 12,5 0 6
0,9 3,1 3,98 18,39 13,4 330 4
0,3 0,2 8,19 11,67 4,85 90 8
0,3 0,2 6,18 11,57 4,82 120 6
0,3 0,2 4,14 11,11 4,55 250 4
0,3 0,2 8,2 8,52 4,4 60 8
-0,3 -0,2 6,2 8,4 4,4 8,47 6
-0,3 -0,2 3,99 8,11 15 140 4
-0,9 -0,2 6,2 5,8 3,55 50 8
-0,9 -0,2 6,2 5,8 3,65 60 6
-0,9 -0,2 4,15 5,64 3,55 90 4
-1,5 -0,2 8,24 3,69 3,68 40 8
-1,5 -0,2 6,2 5,8 3,65 120 6
-1,5 -0,2 -0,2 3,5 3,55 90 4

5.Obserwacja charakterystyk na charakterografie.

Nie udało nam się przerysować dla danych tranzystorów rodziny charakterystyk.

6.Wnioski

Z powyższych pomiarów ,można zauważyć, że dla tranzystora typu MOSFET ( BS 170)

prąd bramki IG jest bardzo niewielki rzędu 0,2µA, dzieje się tak dlatego ,ponieważ bramka

jest izolowana od kanału,przez co praktycznie nie płynie przez nią prąd.Badany tranzystor

posiadał kanał wzbogacany( kanał indukowany).Z pomiarów widać również ze prąd dren –źródło IDS jest zalezny od napięcia UGS, co potwierdza że tranzystory MOSFET są sterowane napieciem.Ze względu na dużą częstotliwość graniczną pracy i impedancję wejsciową tranzystory tego typu znalazły szerokie zastosowanie w wzmacniaczach,układach analogowych , oraz układach cyfrowych.

Z wykonanych pomiarów dla tranzystora typu JFET (BF 245 B) widać natomiast ,że

gdy napięcie bramka-żródło UGS , zaczyna maleć ( w kierunku wartości ujemnych),wartośc prądu I DS zaczyna znacząco maleć ,z czego wynika ,że zwiększa się rezystancja kanału która

powoduje ograniczenie tego prądu.Można podejrzewać ,że gdybyśmy wykonali pomiary

dla jeszcze mniejszych wartości napiecia UG S , aż do napiecia UGS(OFF) , wówczas prąd IDS

byłby bardzo niewielki rzędu µA.Tranzystory JFET podobnie jak MOSFET są sterowane

napieciem (co odróżnia je od bipolarnych) i znalzły zastosowanie w wzmacniaczach i układach analogowych.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
ei 03 2002 s 62
lato wedlug pieciu przemian fr
ei 2005 01 02 s078
ei 2005 07 08 s085 id 154185 Nieznany
ei 07 2002 s 32 34
ei 2005 03 s098
1 1 8 N fr pl
ei 03 2002 s 27
BIZNESPLAN Biznesplan salonu fr Nieznany (2)
ei 03 2002 s 61
ei 2005 06 s092
Heraclitus GR FR EN
ei 01 2001 s 48 49
EI 2008
ei 2005 03 s024 id 154147 Nieznany
fr ks młodzi ludzie i starzy ludzie
4 Les références philosophiques? la littérature contemporaine FR
choroba refluksowa przelyku diety fr

więcej podobnych podstron