Izolatory
Maja silnie związane elektrony na zewnętrznej powłoce te elektrony wymagają dużej energii dla oderwania ich żeby brać udział w przewodzeniu (duża rezystywność).
Przewodniki
Mają słabo związane elektrony na zewnętrznej powłoce potrzebują mało energii żeby brać udział w przewodzeniu (mała rezystywność )
Półprzewodnik
Rezystywność półprzewodnika mniejsza od izolatorów a większa od przewodników.
Czynnikami wpływającymi na rezystywność są:
temperatura (przy wzroście temp. rezystywność maleje ujemny wsp. rezystancji)
zanieczyszczenia ( domieszkowanie celowe zmienia właściwości półprzewodników)
promieniowanie
MODEL PASMOWY
Teoria pasmowa – jest to teoria kwantowa opisująca stany energetyczne elektronów w krysztale. W odróżnieniu od atomów, w których dozwolone stany energetyczne elektronów stanowią zbiór poziomów dyskretnych, dozwolone elektronowe stany energetyczne w kryształach mają charakter pasm o szerokości kilku elektronowoltów.
Półprzewodniki
samoistne nazywamy półprzewodnik idealnie czysty bez żadnych domieszek ani defektów sieci krystalicznej. Atomy półprzewodników (krzem, german) posiadają na zewnętrznej powłoce (walencyjnej 4 elektrony. Każdy atom poprzez te elektrony łączy się z czterema innymi atomami. Powstaje w ten sposób bardzo trwałe wiązanie kowalencyjne.
Półprzewodnik niesamoistny jest wówczas, gdy w sieci krystalicznej monokryształu zamiast atomów pierwiastka materiału półprzewodnikowego znajduje się inny atom (np. w sieci krystalicznej krzemu znajduje się fosfor).Powstaje wówczas tzw. półprzewodnik domieszkowany, a ten inny atom nazywamy domieszką. Rozróżniamy dwa rodzaje domieszek: donorową i akceptorową.
Jeśli na skutek nieregularności sieci krystalicznej w półprzewodniku będą przeważać nośniki typu dziurowego, to półprzewodnik taki nazywać będziemy półprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy będą przeważać nośniki elektronowe, będziemy nazywać je półprzewodnikami typu n (nadmiarowy).
Półprzewodnik typu n uzyskuje się przez dodanie – w procesie wzrostu kryształu krzemu – domieszki pierwiastka pięciowartościowego (np. antymon, fosfor). Niektóre atomy krzemu zostaną zastąpione w sieci krystalicznej atomami domieszki, zwanymi donorami
Półprzewodnik typu p uzyskuje się przez zastąpienie niektórych atomów krzemu atomami pierwiastków trójwartościowych (np. glinu, galu). Na rysunku przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszką atomów indu.
Rekombinacja
Łączenie elektronu z dziurą (elektrony i dziury biorą udział w przewodnictwie)
Rekombinacja par dziura - elektron
W stanie równowagi termodynamicznej tj. gdy z zewnątrz nie przyłożono żadnego pola elektrycznego, w pobliżu styku obszarów P i N swobodne nośniki większościowe przemieszczają się (dyfundują), co spowodowane jest różnicą koncentracji nośników. Gdy elektrony przemieszczą się do obszaru typu P, natomiast dziury do obszaru typu N (stając się wówczas nośnikami mniejszościowymi) dochodzi do rekombinacji z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. Rekombinacja polega na "połączeniu" elektronu z dziurą, a więc powoduje "unieruchomienie" tych dwu swobodnych nośników.