Półprzewodniki

Izolatory

Maja silnie związane elektrony na zewnętrznej powłoce te elektrony wymagają dużej energii dla oderwania ich żeby brać udział w przewodzeniu (duża rezystywność).

Przewodniki

Mają słabo związane elektrony na zewnętrznej powłoce potrzebują mało energii żeby brać udział w przewodzeniu (mała rezystywność )

Półprzewodnik

Rezystywność półprzewodnika mniejsza od izolatorów a większa od przewodników.

Czynnikami wpływającymi na rezystywność są:

MODEL PASMOWY

Teoria pasmowa – jest to teoria kwantowa opisująca stany energetyczne elektronów w krysztale. W odróżnieniu od atomów, w których dozwolone stany energetyczne elektronów stanowią zbiór poziomów dyskretnych, dozwolone elektronowe stany energetyczne w kryształach mają charakter pasm o szerokości kilku elektronowoltów.

Półprzewodniki

Jeśli na skutek nieregularności sieci krystalicznej w półprzewodniku będą przeważać nośniki typu dziurowego, to półprzewodnik taki nazywać będziemy półprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy będą przeważać nośniki elektronowe, będziemy nazywać je półprzewodnikami typu n (nadmiarowy).

Półprzewodnik typu n uzyskuje się przez dodanie – w procesie wzrostu kryształu krzemu – domieszki pierwiastka pięciowartościowego (np. antymon, fosfor). Niektóre atomy krzemu zostaną zastąpione w sieci krystalicznej atomami domieszki, zwanymi donorami

Półprzewodnik typu p uzyskuje się przez zastąpienie niektórych atomów krzemu atomami pierwiastków trójwartościowych (np. glinu, galu). Na rysunku przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszką atomów indu.

Rekombinacja

Łączenie elektronu z dziurą (elektrony i dziury biorą udział w przewodnictwie)

Rekombinacja par dziura - elektron

W stanie równowagi termodynamicznej tj. gdy z zewnątrz nie przyłożono żadnego pola elektrycznego, w pobliżu styku obszarów P i N swobodne nośniki większościowe przemieszczają się (dyfundują), co spowodowane jest różnicą koncentracji nośników. Gdy elektrony przemieszczą się do obszaru typu P, natomiast dziury do obszaru typu N (stając się wówczas nośnikami mniejszościowymi) dochodzi do rekombinacji z nośnikami większościowymi, które nie przeszły na drugą stronę złącza. Rekombinacja polega na "połączeniu" elektronu z dziurą, a więc powoduje "unieruchomienie" tych dwu swobodnych nośników.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
3b Właściwości optyczne półprzewodników
3 Podstawy fizyki polprzewodnik Nieznany (2)
F 11 Półprzewodnik akceptorowy
otrzymywanie polprzewodnikow
Korbutowicz,optoelektronika,Technologia wytwarzania półprzewodnikowych struktur optoelektronicznych
2 Materiały półprzewodnikowe
cw8?danie właściwości optycznych półprzewodników
pamieci polprzew
3 Materiały półprzewodnikowe, własności, wytwarzanie i ich obróbka mechaniczna [tryb zgodności]
3 Diody półprzewodnikowe +
c03 2012 el polprzewodnikowe
111-4, materiały studia, 111. WYZNACZANIE SZEROKOŚCI PRZERWY ENERGETYCZNEJ W PÓŁPRZEWODNIKU METODĄ T
Tyrystor jest elementem półprzewodnikowym składającym się z 4 warstw w układzie 1, ELEKTRONIKA, Elek
Badanie własności diod półprzewodnikowych1
Badanie własności prostowniczych diod półprzewodnikowych Wstęp

więcej podobnych podstron