Temat: Przegląd pamięci RAM
Pamięć RAM- jest to podstawowy rodzaj pamięci o dostępie swobodnym, nieodzowna w każdym komputerze, przechowująca całość lub część bieżąco wykonywanego programu. Pamięć operacyjna pozostaje w stałym kontakcie z procesorem, dla którego przedstawia logicznie uporządkowany ciąg komórek.
Podział pamięci RAM ze względu na budowę:
SRAM (static RAM)- pamięć statyczna, cechuje ją bardzo krótki czas dostępu do poszczególnej komórki i nieulotność. Wadą pamięci SRAM jest ich wysoka cena.
DRAM (dynamic RAM)- pamięć dynamiczna, jest wolniejsza niż pamięć SRAM, a w dodatku jest ulotna. Aby pamięć ta nie traciła danych trzeba ją odświeżać z częstotliwością co najmniej kilkuset Hz. Odświeżanie polega na zwykłym odczycie zawartości komórki.
SDRAM (synchro dynamic RAM)- pamięć dynamiczna, synchroniczna. Podobna do pamięci DRAM z tym, że dostęp do pamięci jest zsynchronizowany z zewnętrznym zegarem taktującym procesora.
DDR SDRAM (double data rate RAM)- nowy rodzaj pamięci SDRAM cechujący się dwukrotnie większą szybkością działania niż tradycyjne moduły. Pamięć typu DDR RAM wykonuje dwa cykle pracy w ciągu jednego impulsu zegara.
Podział pamięci RAM ze względu na dostęp:
FPM RAM (fast page mode RAM)- pamięć ta zorganizowana jest w strony, przy czym najszybciej realizowany jest dostęp do kolejnych komórek w obrębie strony.
EDO RAM (extended data output RAM)- jest to pamięć, w przypadku której w czasie odczytu danej komórki może zostać pobrany adres następnej komórki.
BEDO RAM (burst EDO RAM)- w przypadku tej pamięci zamiast jednego adresu pobierane są cztery adresy, przy czym na magistralę wystawiany jest tylko pierwszy, co znacznie zwiększa szybkość dostępu.
Pamięć CACHE:
rys.: Podłączenie cache do procesora
Pamięć CACHE jest podręczną pamięcią przyśpieszającą działanie procesora. Jest ona podzielona na poziomy, które obecnie można podzielić na:
L1- pamięć CACHE zintegrowana z procesorem - umieszczona wewnątrz jego struktury
L2- pamięć CACHE umieszczona w jednej obudowie układu scalonego mikroprocesora lub na wspólnej płytce hybrydowej (Pentium II )
L3- pamięć CACHE występuje w bezpośrednim sąsiedztwie procesora ITANIUM
Pamięć podręczna najniższego poziomu (L1) jest stosunkowo mała, ale dane w niej zgromadzone są szybko dostępne dla procesora. W wypadku braku potrzebnych w danym momencie danych (braku trafienia) następuje odwołanie do pamięci kolejnych, wyższych poziomów. Po ich odczycie następuje przepisanie do niższych poziomów, tak by były szybciej dostępne w kolejnych odwołaniach. Jeśli dane nie są aktualnie buforowane w cache, następuje odczyt bloku pamięci głównej RAM, który je zawiera i wymiana zawartości cache.