CVD(chemical vapour deposition), chemiczne nanoszenie powłok z fazy gazowej polega na tworzeniu warstw węglików i azotków metali, np. chromu, wanadu, tytanu, tantalu lub cyrkonu, ze składników atmosfery gazowej, na powierzchni obrabianego przedmiotu.
Proces zachodzi w szczelnym reaktorze, w wysokich temp. Wyższych niż w procesach PVD (ok. 900 - 1000˚C) i przy ciśnieniu rzędu 1 x 105 - 1,35 x 103 Pa.
Do komory doprowadza się pary gazu mającego stanowić podstawowy składnik wytworzonej warstwy za pomocą tzw. gazu nośnego obojętnego (np. argon lub hel) LUB gazu nośnego mogącego wziąć udział w procesach zachodzących na powierzchni przedmiotu (np. węglowodór, azot, wodór).
Przez wiele lat starano się udoskonalić CVD poprzez próby obniżenia ciśnienia potrzebnego do wykonania procesu i w ten sposób dzisiaj możemy wyróżnić kilka rodzajów.
Metody nie wspomagane:
APCVD (Atmospheric Pressure CVD) - metoda zachodząca przy ciśnieniu atmosferycznym
LPCVD (Low Pressure CVD) - metoda zachodząca przy obniżonym ciśnieniu
Metody wspomagane:
PACVD (Plasma Assisted CVD) - proces wytwarzania warstwy jest wspomagany poprzez wygenerowanie plazmy
LCVD (Laser CVD) - proces wytwarzania warstwy wspomagany wiązką laserową
MOCVD (metallorganic CVD) - prekursorami są związki metaloorganiczne takie jak alkile
(metylki i etylki metali grupy III) lub wodorki, które rozkładają się w temperaturze nie wyższej
od 800°C.
VPE (vapour phase epitaxy) - technika wzrostu epitaksjalnego, polega na osadzaniu
zorientowanej warstwy krystalicznej monokrystalicznej lub też polikrystalicznej albo amorficznej w
zależności od warunków procesu, a przede wszystkim temperatury, ciśnienia
cząsteczkowego reagentów w fazie gazowej, oraz dopasowania sieci krystalicznej podłoż i
narastającej warstwy.
Zalety CVD:
Dość niski koszt i względna prostota aparatury,
Bardzo dobra przyczepność warstw do podłoża,
Szybkość osadzania
Wady CVD:
Toksyczne odpady
Duża ilość agresywnych i wysokokorozyjnych gazów
Trudność w uzyskaniu jednorodnej warstwy