Złącze PN - obszar na styku dwóch półprzewodników, z których jeden wykazuje przewodnictwo akceptorowe ( typu p)a drugi donorowe (typu n). W przypadku przyłączenia dodatniego bieguna zasilania do obszaru p, a ujemnego do obszaru n złącze p-n ma małą oporność (jest to tzw. polaryzacja złącza w kierunku przewodnictwa). Odwrotne podłączenie biegunów powoduje dużą oporność złącza p-n .

Rys. 4.4. Charakterystyka prądowo - napięciowa złącza p-n

Zenera zjawisko, zjawisko tunelowego przewodzenia (tunelowy efekt) zachodzące w dielektryku lub półprzewodniku pod wpływem silnego pola elektrycznego.

Zjawisko tunelowe-zjawisko kwantowe polegające na przenikaniu cząstki przez barierę potencjału.

Klasyfikację diod półprzewodnikowych:

-   materiał (krzemowe, germanowe z arsenku galu);

-   konstrukcję (ostrzowe i warstwowe; stopowe i dyfuzyjne: mesa, planarne i epiplarne);

-   strukturę fizyczną złącza (p-n, m-s, heterozłącza);

-   zastosowanie (prostownicze, uniwersalne);

-   przebiegające zjawiska (Zenera, Gunna, lawinowe, tunelowe).

Parametry charakteryzujące diody prostownicze:

·        napięcie przewodzenia - U_F, przy określonym prądzie przewodzenia,

·        prąd wsteczny - I_R, przy określonym napięciu w kierunku zaporowym,

·        czas ustalania się prądu wstecznego - t,

·        pojemność - C, przy określonym napięciu przewodzenia.

Dopuszczalne (graniczne) parametry:

·        maksymalny Prąd przewodzenia - I₀;

·        szczytowe Napięcie wsteczne - U_RWM;

·        parametr przeciążeniowy - I²t, podawany dla diod mocy.

Rezystancja dynamiczna - to pochodna napięcia U względem prądu I:

Rezystancja statyczna - to rezystancja diody w konkretnym punkcie pracy:

Model dyfuzyjny diody

Dioda Zenera(stabilizacyjne) - odmiana diody, której głównym przeznaczeniem jest blokowanie lub ograniczanie napięć.

Diody tunelowe - dioda półprzewodnikowa, która dla pewnego zakresu napięć polaryzujących charakteryzuje się ujemną rezystancją dynamiczną. Działanie diody tunelowej oparte jest na zjawisku tunelowym.

---