UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
UCE [V]	0,053	0,107	0,206	0,305	0,45	0,503	0,642	0,77	1,156	1,95	3,25	4,97	9,9	12,01	15,04
IC [mA]	0	1	3	5	8	9	11	12	164	199	202	206	215	221	228

Wyznaczanie charakterystyk wyjściowych tranzystora 2N 3055 I_C = f(U_CE) przy I_B = const.

I_B=1000 [µA]

I_B=2000 [µA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
UCE [V]	0,065	0,108	0,202	0,304	0,394	0,504	0,6	0,607	1,192	1,991	2,978	5,06	10,05	12	15
IC [mA]	50	93	210	292	318	323	325	325	328	333	339	349	372	382	397

I_B=3000 [µA]

UCE [V] (int)	0,05	0,1	0,2	0,3	0,4	0,5	0,6	0,7	1	2	3	5	10	12	15
UCE [V]	0,049	0,096	0,203	0,306	0,403	0,492	0,616	0,706	1,008	2,03	3,051	5,03	10,04	12,17	14,96
IC [mA]	49	106	222	333	422	446	453	453	456	463	469	481	510	526	547

Wyznaczanie charakterystyk wejściowych tranzystora 2N 3055 I_B = f(U_BE), przejściowych I_C = f(I_B) przy U_CE = const.

U_CE=5 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,5	1,04	1,99	3,15	4,09	5,04	6	8,07	9,02	9,98
UBE [V]	0,623	0,691	0,759	0,787	0,81	0,815	0,81	0,826	0,833	0,84
IC [mA]	104	207	355	496	600	691	778	942	1013	1076

U_CE=10 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,56	1,06	2,01	3,15	4,04	4,99	6,05	8,11	9,09	9,92
UBE [V]	0,566	0,597	0,632	0,662	0,679	0,696	0,713	0,758	0,771	0,767
IC [mA]	104	242	399	541	651	744	833	994	1062	1116

U_CE=15 [V]

IB [mA] (int)	0,5	1	2	3	4	5	6	8	9	10
IB [mA]	0,62	1,12	2,05	2,99	4,1	5,09	5,99	7,91	9,03	10,03
UBE [V]	0,51	0,542	0,574	0,593	0,613	0,625	0,632	0,629	0,677	0,682
IC [mA]	179	282	435	561	682	778	856	988	1067	1126

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