Zadania kontrolne nr 1 z przedmiotu :

Układy elektroniczne I - Projekt

1. Dla podanego poniżej układu należy obliczyć : I₁/E_g, I₂/I₁, U₂/E_g

2. Przekształcić niżej podane układy stosując twierdzenia Thevenina i Norton


























a

Zadania kontrolne nr 2 z przedmiotu :

Układy elektroniczne I - Projekt

1. Wyznaczyć punkt pracy tranzystora pracującego w układzie pokazanym na rys.1 dla trzech temperatur otoczenia : 15 ⁰C, 25 ⁰C i 50 ⁰C. W obliczeniach zastosować linearyzowany modelem Ebersa-Molla, którego parametry w temperaturze T₀ = 25⁰C są dane : U_BE(T₀) = 0,675 V, β(T₀) = 300. Prąd zerowy złącza baza-kolektor wynosi I_BC0(150⁰C) ≤ 15μA.

Przyjąć c= 2mV/1⁰C, γ = 5 x 10^-3 1/1⁰C, b = 14⁰C

Rys.1. Schemat ideowy układu zasilania tranzystora

(R₁ = 510 kΩ, R₂ = 82 kΩ, R_C = 6,8 kΩ, R_E = 1 kΩ, E_CC = 15 V).

2. Określić wpływ rozrzutu współczynnika wzmocnienia prądowego β na zmiany punktu pracy tranzystora układu z rys.1. Należy założyć zmiany β w granicach β_min = 100, β_max= 900. Napięcie baza-emiter tranzystora w temperaturze 25⁰ C wynosi U_BE = 0,675 V. Wpływ prądu zerowego złącza baza-kolektor pominąć.

3. Obliczyć łączny wpływ zmian temperatury od T_min = 15 ⁰C do T_max=50⁰C i rozrzutu β od β_min=100 do β_max = 900 na punkt pracy tranzystora w układzie z rys. 1 (wartości β podano dla temperatury T_o = 25 ⁰C). Napięcie U_BE w tej temperaturze wynosi U_BE(T_o) = 0,675 V. Wpływ prądu zerowego złącza baza-kolektor pominąć.

4. Obliczyć rezystory potencjometrycznego układu zasilania ze sprzężeniem źródłowym tranzystora JFET BF 245B o następujących parametrach:

6 mA ≤ I_DSS ≤ 15 mA

1,9 V ≤ -U_P ≤ 4,3 V

napięcie zasilana tranzystora: E_DD = 24 V

punkt pracy tranzystora : I_D = 2 mA , U_DS. = 6V

zmiany prądu drenu spowodowane rozrzutem produkcyjnym: ΔI_D ≤ ±10% I_D

5. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora MOSFET typu wzbogacanego, kanał typu n (rys.2). Należy przyjąć, ze:

- spadek napięcia na rezystorze R_S wynosi od 10 % do 30% napięcia zasilania E_DD,

- natężenie prądu w dzielniku polaryzującym bramkę tranzystora (rezystory R1 i R2) jest bardzo małe (rzędu kilku mikroamperów).

Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy: I_D = 1 mA, U_DS = 6 V, U_GS = 2V.

Wartość rezystora R_D jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i wynosi 6,8 kΩ.

Rys. 2 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora MOSFET typu wzbogacanego,

kanał typu n.

6. Obliczyć elementy układu zasilania tranzystora unipolarnego złączowego (JFET) z kanałem typu n (rys.3).

Tranzystor ma pracować w następującym punkcie pracy: I_D = 1 mA, U_DS = 6 V, U_GS = -2V.

Wartość rezystora R_D jest zadana ze względu na wymagane wzmocnienie napięciowe i wynosi 10 kΩ.

Rys. 3 Schemat ideowy układu zasilania tranzystora złączowego (JFET) z kanałem typu n.

Wrocław, 3.10.2007 r.

I₁

I₂

1 k

450 k

20 k

1 k

+

U₂

5 k

100 I₁

100 k

E_g

A

A

5.Narysować rodzinę charakterystyk wyjściowych i charakterystykę przejściową

tranzystora IGFET typu wzbogacanego z kanałem typu n.

4.Wyznaczyć graficznie punkt pracy tranzystora ,wykorzystując typowe charakterystyki

wejściowe i wyjściowe tranzystora bipolarnego, układu zasilania tranzystora z dwu

baterii.

R₁

E_g

U

R₃

C

+

R₂

3. Obliczyć transmitancję K(s) = U(s)/E(s) dla poniższego układu

R₁

R₃

B

I_g

B

+

R₃

R₂

R₁

E_g

R₂

Wrocław, 01 października 2007 r.

---