Diody polprzewodnikowe, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA


POLITECHNIKA CZĘSTOCHOWSKA

LABORATORIUM ELEKTRONIKI

Temat: Diody półprzewodnikowe.

WYDZIAŁ ELEKTRYCZNY

Środa 17-18

Marcin Wroński

Rafał Strzelecki

1. Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest zapoznanie się z własnościami diod półprzewodnikowych: diody germanowej, diody krzemowej i diody Zenera (stabilistora) z uwzględnieniem wpływu temperatury.

2. Schematy układów pomiarowych:

3. Tabele pomiarowe:

a) do układu wg. schematu 1; zwarte zaciski 1 i 4; i=f(u) dioda germanowa oraz krzemowa spolaryzowana w kierunku przewodzenia.

4

6

8

10

20

30

40

60

80

100

558

577

590

599

632

651

664

682

696

707

b) do układu wg. schematu 1; zwarte zaciski 1 i 5

IF=20 mA; U F=707 mV

c) do układu wg. schematu 1; zwarte zaciski 1 i 6

IF=20 mA; U F=641 mV

d) do układu wg. schematu 2; zwarte zaciski 1 i 3; i=f(u) dioda germanowa oraz krzemowa spolaryzowana w kierunku wstecznym.

1

2

4

5

6

8

10

12

14

16

64

84

133

160

185

229

270

308

347

382

e) do układu wg. schematu 2; zwarte zaciski 1 i 4; i=f(u) dioda germanowa oraz krzemowa spolaryzowana w kierunku wstecznym.

1

2

4

5

6

8

10

12

14

16

0

0

0

0

0

0

0

0,1

0,1

0,1

f) do układu wg. schematu 2; zwarte zaciski 1 i 5; i=f(u) dioda Zenera spolaryzowana w kierunku zaporowym.

1

2

3

4

5,16

5,38

5,68

5,82

6,03

6,20

0

0,2

10

190

5

10

25

40

70

100

g) do układu wg. schematu 2; zwarte zaciski 1 i 6; i=f(u) dioda Zenera spolaryzowana w kierunku zaporowym.

2

4

6

8

9

10,74

10,78

10,89

11,00

11,20

0

0,1

0,6

3,4

7,6

5

10

25

40

70

h) do układu wg. schematu 1; dla podanych wartości temperatury T przy odpowiednio zwartych zaciskach; charakterystyka i=f(u)

4

6

8

10

20

30

40

60

80

100

T=313K; zwarte 1-4

529

547

560

570

602

623

637

659

670

681

T=313K; zwarte 1-3

162

179

193

204

255

278

301

339

371

397

T=313K; zwarte 1-5

628

641

649

656

676

689

698

712

722

731

T=313K; zwarte 1-6

537

555

567

575

610

630

644

666

686

700

T=333K; zwarte 1-3

116

134

147

160

202

224

240

277

305

329

T=333K; zwarte 1-4

462

483

498

515

547

570

588

613

626

642

T=333K; zwarte 1-5

578

591

600

607

630

644

654

668

680

688

T=333K; zwarte 1-6

483

501

517

526

560

581

598

622

640

656

4. Wykresy:

Charakterystyki I=f(u) diody BYP680

Charakterystyka I=f(u) diody a)OY110, b)BYP680

Charakterystyki I=f(u) diody OY110 w zależności od temperatury: a) T=333K, b) T=313K

=202mV =255mV

=-2,65[mV/K]

Charakterystyki I=f(u) diody BYP680 w zależności od temperatury: a) T=333K, b) T=313K

=547mV =602mV

=-2,75[mV/K]

Charakterystyki I=f(u) diody Zenera BZP620C5V6 w zależności od temperatury: a) T=333K, b) T=313K

=630mV =676mV

=-2,3[mV/K]

Charakterystyki I=f(u) diody Zenera BZP620C11 w zależności od temperatury: a) T=333K, b) T=313K

=560mV =610mV

=-2,5[mV/K]

Wartość ze wzoru dla IF=20mA

Charakterystyki I=f(u) diody Zenera a)BZP620C5V6, b)BZP620C11

dla 333K Ua=5,73V, Ub=10,93V

a) 173Ω, 9,3Ω =18,6

b) 331Ω, 7.3Ω =45,3

Rezystancję dynamiczną obliczam ze wzoru

Rezystancję statyczną obliczam ze wzoru

Obliczenia przeprowadzam dla 30mA

5.Wnioski:

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2



Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
wyznaczenie współczynnika indukcji1, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Procesor 80386, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Wyznaczanie współczynnika przewodnictwa temperaturowego, Politechnika Cz˙stochowska
Pomiar stałej siatki dyfrakcyjnej za pomocą spektrometru a, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Regulacja predkosci silnika bocznikowego, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Wyznaczanie długości fal podstawowych barw w widmie, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Badanie kaskady zaworowej, Politechnika Cz˙stochowska
Badanie absorbcji energii promieniowania g w miedzi i w ołowiu, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Badanie indukcyjnych urzadzen grzejnych, Politechnika Cz˙stochowska
Fiz rezonans, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Wyznaczanie widma promieniowania g, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
OP BADANIE WIDM OPTYCZNYCH PRZY POMOCY SPEKTROSKOPU, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Fiz Planck, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Generatory drgan sinusoidalnych, Politechnika Cz˙stochowska Wydzia˙ Elektryczny
Pomiar przekladni transformatora, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
ELESKL, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Badanie zgrzewarki doczolowej, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA
Wyznaczanie stosunku CpCv dla powietrza metodą, POLITECHNIKA CZ˙STOCHOWSKA

więcej podobnych podstron