POLITECHNIKA RADOMSKA im. Kazimierza Pułaskiego WYDZIAŁ TRANSPORTU		LABORATORIUM ELEKTRONIKI		Data:
Wykonali:		Grupa:	Zespół:	Rok akademicki:
Temat:	Badanie tranzystora bipolarnego i unipolarnego.		Nr ćwiczenia: 3	Ocena:

Cel ćwiczenia:

Celem ćwiczenia jest wyznaczenie charakterystyk tranzystorów.

Badanie tranzystora bipolarnego:

Rodzina charakterystyk wyjściowych

Charakterystyki przejściowa i wejściowa tranzystora bipolarnego

IB	UBE	IC	UCE	IB	UBE	IC	UCE
[μA]	[V]	[mA]	[V]	[μA]	[V]	[mA]	[V]
20	0,583	0	0	200	0,651	0	0
	0,628	0,4	0,05		0,724	24,5	0,5
	0,652	1,5	0,2		0,722	25	5
	0,652	1,55	0,5		0,722	25,5	10
	0,652	1,55	1	250	0,657	0	0
	0,652	1,57	5		0,731	33	0,5
	0,652	1,59	10		0,729	35	5
40	0,605	0	0		0,725	37	10
	0,645	0,8	0,05	300	0,660	0	0
	0,665	2,5	0,1		0,735	38,5	0,5
	0,674	3,7	0,2		0,732	39,5	5
	0,674	3,75	1		0,728	41	10
	0,674	3,87	5	350	0,667	0	0
	0,674	3,9	10		0,739	46	0,5
60	0,614	0	0		0,739	47	5
	0,661	2	0,06		0,735	48,3	10
	0,676	4	0,09	400	0,668	0	0
	0,682	6,1	0,2		0,743	53	0,5
	0,687	6,2	1		0,740	54,5	5
	0,686	6,2	5		0,735	55,5	10
	0,686	6,3	10	450	0,675	0	0
80	0,626	0	0		0,748	59,5	0,5
	0,669	2,8	0,06		0,744	61,5	5
	0,681	6,7	0,1		0,738	64	10
	0,696	8,7	0,3	500	0,677	0	0
	0,696	8,8	1		0,705	10	0,04
	0,696	8,9	5		0,720	20	0,065
	0,696	9	10		0,730	30	0,086
100	0,634	0	0		0,738	40	0,109
	0,703	11,4	0,6		0,745	50	0,139
	0,703	11,7	5		0,751	60	0,191
	0,704	11,8	10		0,752	66	1
150	0,641	0	0		0,741	68,5	5
	0,715	17,9	0,5		0,740	70,5	10
	0,714	18,3	5
	0,712	18,6	10

Badanie tranzystora unipolarnego:

UGS	ID	UDS	UGS	ID	UDS
[V]	[mA]	[V]	[V]	[mA]	[V]
0,1	0,75	1	1,5	0,5	0,9
	1,55	2		1	3,92
	2,3	3		1,05	10
	3,5	4		1,1	20
	3,8	5	2	0,2	2,26
	4,3	6		0,24	20
	4,8	7	2,5	0	0
	5,05	8
	5,25	10	Przy stałym napięciu UDS
	5,35	15	0,074	5,4	15
	5,35	18,5	0,174	5
0,4	1	1,34	0,305	4,5
	2,1	2,78	0,448	4
	3	4,33	0,597	3,5
	4	7,51	0,752	3
	4,2	10	0,927	2,5
	4,25	15	1,098	2
	4,25	19,8	1,31	1,5
1	1	1,51	1,54	1
	2	3,72	1,821	0,5
	2,3	20,14	2,15	0,1

Charakterystyka wyjściowa tranzystora J-FET typu BF 245.

Charakterystyka przejściowa tranzystora J-FET typu BF 245.

Wnioski:

Dokonaliśmy pomiarów w celu wyznaczenia charakterystyk tranzystorów w układzie wspólnego emitera i wspólnego drenu.

Na ich podstawie możemy stwierdzić, że:

1. Prąd kolektora po przekroczeniu pewnego napięcia U_CE (ok. 0.5 V w zależności od prądu I_B) jest zależny tylko od prądu bazy.

2. Charakterystyka wejściowa jest typowa jak dla diody (złącza p-n).

3. Charakterystyka przejściowa stanowi niemal dokładnie linię prostą. Na jej podstawie możemy określić wzmocnienie prądowe, które wyniosło α=80 dla I_B=20 μA i wzrosło do α=140 dla I_B=500 μA.

4. Prąd drenu tranzystora unipolarnego zależy od wartości ujemnego napięcia U_GS, przy czym dla U_GS=0 jest on największy, a dla U_GS= -2.5 spada praktycznie do zera. Jest to tzw. U_GS(off).

5. Ze względu na to, że złącze tranzystora unipolarnego pracuje w kierunku zaporowym ma on bardzo dużą rezystancję wejściową (rzędu GΩ), dzięki czemu prąd wejściowy praktycznie nie płynie.

6. Powyżej pewnej wartości napięcia U_DS prąd drenu zależy wyłącznie od napięcia U_GS.

Badanie tranzystora

1

---