Wnioski :
Seria pomiarów pozwoliła na dość dokładne wyznaczenie charakterystyki tranzystora w układzie Ik(Uk), natomiast dla dwóch pozostałych charakterystyk liczba punktów pomiarowych jest raczej zbyt mała. Pozwala co prawda określić przybliżoną charakterystykę, ale jest do tego potrzebna dodatkowa znajomość ogólnego jej kształtu. Najlepszym układem do wyznaczania tych dwóch charakterystyk, czyli Ik(Ub) i Ib(Ub) jest prowadzenie pomiarów przy ustalonym Uk i zmieniającym się Ib, gdyż nie wymaga to zmiany istniejącego układu pomiarowego.
Charakterystyka Ik(Uk) odpowiadająca największej liczbie punktów pomiarowych pokazuje, iż ta liniowa zależność nie jest zachowana dla wszystkich wartości napięcia Uk . Dla bardzo małych wartości następuje bardzo szybki i nieliniowy wzrost, natomiast dla dużych, po przekroczeniu tzw. hiperboli maksymalnej mocy następuje zniszczenie tranzystora.
Charakterystyki Ik(Ub) i Ib(Ub) są jedynie fragmentami właściwych charakterystyk, dokonanie pomiarów dla małych wartości Ub jest dość kłopotliwe ze względu na konieczność dysponowania bardzo dokładnymi przyrządami pomiarowymi, gdyż mierzone wartości będą bardzo małe, obie te charakterystyki zbiegają do początku układu, a dla dużych wartości rodziny charakterystyk rozchodzą się.
Wyniki pomiarów obarczone są oczywiście błędami systematycznymi i przypadkowymi. Źródłem błędów systematycznych jest niedokładność przyrządów pomiarowych, zmiany parametrów tranzystora, wraz z jego ogrzewaniem się. Zmiany te nie wpływają na postać charakterystyki, ale powodują łatwo zauważalne różnice, w wynikach pomiarów wykonywanych w tych samych punktach, toteż nie wskazane jest powracanie, czyli tzw. domierzanie, do uprzednio wykonanych serii pomiarów.
Wartości obliczanych parametrów mieszczą się w spodziewanych granicach, co pozwala przypuszczać, iż wyniki pomiarów nie były obciążone nazbyt wielkim błędem, dodatkowo przeprowadzone przeze mnie uśrednianie obliczanych wartości pozwolił to poprawić jakość wyników.