Tranzystory bipolarne, Księgozbiór, Studia, Elektronika i Elektrotechnika


Politechnika Śląska

Wydział: Mechaniczny Technologiczny

Laboratorium elektroniki i techniki mikroprocesorowej

Temat ćwiczenia: Tranzystory bipolarne

Data przeprowadzenia ćwiczenia:12.03.1999

Piątek godz.1200

Robert Centkowski, Tomasz Zdrach

Rok akademicki: 1998/99, semestr IV

Kierunek: Automatyka i Robotyka

Grupa I ,Sekcja VIII

1.Charakterystyka diody w kierunku przewodzenia:

Id

U ak

0x08 graphic
[ μ A ]

[mV]

1

446

2

471

5

498

0x08 graphic
10

517

20

535

50

558

100

576

200

593

500

616

[ mA ]

[ mV ]

1

633

2

651

5

673

10

691

20

708

50

731

2. Charakterystyka stabilizatora.

U we

[ V ]

U wy(3,3)

[ V ]

U wy(7,5)

[ V ]

0x08 graphic
1

0,999

0,999

2

1,99

2

0x08 graphic
3

2,99

3

4

2,74

4

5

2,82

4,99

6

2,87

5,91

7

2,9

6,42

8

2,93

6,65

9

2,95

6,78

10

2,98

6,87

11

2,99

6,94

3. Pomiar charakterystyki diody Zenera

ID

[ mA ]

Uz=3,3

[ V ]

Uz =7,5

[ V ]

Idealna

[ V ]

-50000

-3,24

-7,6

-75,6

-20000

-3,12

-7,36

-73,2

-10000

-3,02

-7,18

-71,4

-5000

-2,93

-6,99

-69,6

-2000

-2,8

-6,75

-67,2

-1000

-2,71

-6,57

-65,3

-500

-2,61

-6,38

-63,3

-200

-2,49

-6,13

-60,4

0x08 graphic
-100

-2,39

-5,94

-57,3

-50

-2,29

-5,74

-48,6

-20

-2,16

-5,45

-20

-10

-2,05

-5,16

-10

0x08 graphic
-5

-1,92

-4,54

-5

-2

-1,63

-2

-2

0

0

0

0

2

0,337

0,459

0,471

5

0,363

0,486

0,498

10

0,381

0,504

0,517

20

0,399

0,522

0,535

50

0,422

0,546

0,558

100

0,44

0,563

0,576

200

0,459

0,581

0,593

500

0,484

0,605

0,616

1000

0,507

0,624

0,633

2000

0,534

0,645

0,651

5000

0,585

0,677

0,673

10000

0,651

0,711

0,691

20000

0,765

0,76

0,708

50000

1,08

0,88

0,731

  1. Obliczenia

Rezystancja dynamiczna wyraża się następującym wzorem:

0x01 graphic

Wyznaczamy rezystancję dynamiczną diody Si w wybranym punkcie pracy

( ID > 1mA). Nasz punkt pracy wynosi I0 = 5 mA, Uo=0,673mV :

ΔI=5mA; ΔU=0,018 V.

Dla tego punktu rezystancja dynamiczna ( RD ) wynosi:

RD=3,6 Ω

Wyznaczamy rezystancję dynamiczną diod Zenera w punktach ID= -5;5 (ΔID=5mA ):

  1. Dioda idealna:

U0= - 69,6 V; ΔU=69,6 V

RD= 13,92 kΩ

U0= 0,673 V; ΔU=0,018 V

RD= 3,6 kΩ

  1. Dioda 1N4728

U0= -1,92 V; ΔU=1,92 V

RD= 384 Ω

U0= 0,363 V; ΔU=0,018 V

RD= 3,6 Ω

  1. Dioda 1N4737

U0= - 4,54 V; ΔU= 4,54 V

RD= 908 Ω

U0= 0,486 V; ΔU=0,018V

RD= 3,6 Ω

0x08 graphic
5.Układ prostownika jednopołówkowego:

0x08 graphic
0x08 graphic

  1. pojemność kondensatora 0 μF:

0x08 graphic

b) pojemność kondensatora 10 μF:

0x08 graphic

  1. 0x08 graphic
    pojemność kondensatora 100 μF:

6. Wnioski

  1. Diody są nieliniowymi elementami półprzewodnikowymi, które w zależności od kierunku spolaryzowania przewodzą lub nie przewodzą prądu elektrycznego.

  2. W związku ze swoimi charakterystycznymi właściwościami są szeroko stosowane w elektronice:

  1. Dioda Zenera dzięki stosunkowo niskiemu napięciu przebicia Uz w kierunku zaporowym posiada dobre właściwości stabilizujące napięcie.

  2. Jak wynika z wykresów pojemność kondensatora podłączonego równolegle w obwodzie prostownika jednopołówkowego wygładza prostowany przebieg. Im większa pojemność kondensatora tym gładszy przebieg.



Schemat układu pomiarowego:

0x01 graphic

Schemat układu pomiarowego:

Schemat układu pomiarowego:

0x01 graphic

B

A

0x01 graphic



Wyszukiwarka