Politechnika Poznańska Wydział Elektryczny	Podstawy Elektroniki i Energoelektroniki	Rok akademicki: 2005 / 2006
Kierunek: Elektrotechnika Rok studiów: III Semestr: V	Ćwiczenie nr 3 Temat: Tranzystor polowy i jego układ pracy
Wykonujący ćwiczenie: 1. Łukasz Najmowicz 2. Sławomir Piasecki 3. Adam Pietrzak	Data wykonania ćwiczenia: 19.10.2005	Ocena:

1. Cel ćwiczenia

Charakterystykę przejściową
uzyskaliśmy poprzez zmienianie napięcia sterującego U_GS, przy ustalonej wartości napięcia U_DS i odczytując prąd drenu I_D.

Charakterystykę wyjściową
otrzymaliśmy poprzez pomiar prądu I_D, przy ustalonej wartości napięcia U_GS zmieniając jednocześnie napięcie U_DS w ustalonym wcześniej zakresie.

Tak wygląda charakterystyka przejściowa

.

Poniżej zaś została zamieszczona charakterystyka wyjściowa.

2. Wyznaczanie charakterystyk tranzystorów JFET i MOSFET w układzie

WS (PT3)

a) przejściowa I _D = f (U_GS)

Tranzystor JFET:

UDS [V]	UGS [V]	I D [mA]
3	-4,97	0
3	-4,47	0
3	-3,44	0,002
3	-3,20	0,016
3	-3,00	0,078
3	-2,87	0,157
3	-2,81	0,277
3	-2,57	0,530
3	-2,24	1,188
3	-1,99	1,791
3	-1,70	2,616
3	-1,44	3,440

Tranzystor MFET:

UDS [V]	UGS [V]	I D [mA]
2	0	0,004
2	0,39	0,002
2	0,96	0,003
2	1,20	0,009
2	1,44	0,020
2	1,75	0,170
2	1,86	0,490
2	1,89	0,607
2	1,92	0,852
2	2,06	2,860
2	2,23	8,985
2	2,33	15,818

2. wyjściowe I _D = f (U_DS)

Tranzystor JFET:

UDS [V]	UGS [V]	I D [mA]
15,0	0	0,098
30,1	0	0,204
53,3	0	0,356
124,3	0	0,822
141,1	0	0,930
164,4	0	1,076
200,9	0	1,303
400	0	2,477
600	0	3,566
792	0	4,499

Tranzystor MFET:

UDS [V]	UGS [V]	I D [mA]
0	3	0,008
15,6	3	4,670
30,4	3	9,025
50,0	3	14,620
65,3	3	18,860
81,8	3	23,33
100,8	3	28,346
120,8	3	33,365
141,1	3	38,373

3. Wyznaczenie na podstawie charakterystyk transkonduktancję małosygnałową g_m i kondunktancję g_DS

- transkonduktancja dla zakresu nienasycenia,

- transkonduktancja dla zakresu nasycenia,

- konduktancja wyjściowa dla zakresu nienasycenia,

- konduktancja dla zakresu nasycenia.

4. Obliczenie rezystancji wyjściowej układu:

Tranzystor JFET:

Tranzystor MFET:

Rezystancja wyjściowa nie jest stała, gdyż wchodząc w obszar nasycenia tranzystora wzrostowi napięcia towarzyszą coraz mniejsze zmiany prądu - rezystancja rośnie.

5. Sprawdzenie przesunięcia fazowego układów WS i WD dla 3 różnych częstotliwości:

Częstotliwość [Hz]	ku1	ku2	Przesunięcie fazowe
5,6	4,2	4,8	0,6
53880	4,2	5,4	1,2
545000	3,4	3,8	0,4

Wnioski:

Celem doświadczenia przeprowadzanego w laboratorium było wyznaczenie charakterystyki przejściowej i wyjściowej tranzystorów JFET i MOSFET, oraz porównanie tych charakterystyk. Charakterystyki te nie są takie same. Spowodowane jest to faktem, iż tranzystor JFET jest standartowo załączony, zaś MOSFET wyłączony. Wymusza to stosowanie napięcia ujemnego w celu uzyskania poprawnej charakterystyki.

Wykonane charakterystyki przejściowe dla obu tranzystorów są zbliżone do ich charakterystyk wzorcowych, co sugeruje poprawność wykonania doświadczenia. Charakterystyki wyjściowe zwłaszcza dla tranzystora JFET mimo zachowania podobieństwa do charakterystyk wzorcowych różnią się nieco od nich. W charakterystykach tych nie wyszliśmy poza obszar nienasycenia.

---