Politechnika Lubelska w Lublinie		Laboratorium elektroniki Ćw. nr 2
Nazwisko: Szychulec Talarek Sulima Studniarski	Imię: Adam Łukasz Kamil Tomasz	Semestr V	Grupa ED 5.5	Rok akademicki 2011/2012
Temat ćwiczeń: Badanie właściwości impulsowych tranzystora			Data wykonania: 2011.10.27	OCENA:

Cel ćwiczenia:

Zapoznanie się z charakterem pracy tranzystora zastosowanego jako przełącznik. Określanie punktów pracy tranzystora odpowiadających granicy stanu zatkania i granicy stanu nasycenia. Badanie pracy tranzystora w układzie przełączającym, oraz wpływ stosowanych w praktyce układów w celu korekcji przebiegu wyjściowego.

Użyte przyrządy:

1. Zasilacz regulowany ZS-100 zakres 0-15V.

2. Oscyloskop dwukanałowy DT-516A.

3. Generator impulsowy PGP-5A.

4. Miliamperomierze.

5. Woltomierz.

6. Tranzystor.

7. Oporniki R_C=1.5k, R_B=2k.

Wykonanie ćwiczenia:

Na żadnym wykresie nie pojawia się funkcja czasu opóźnienia t_d=f(K_F), ponieważ wartości tej funkcji nie mogliśmy odczytać na oscyloskopie, gdyż są to wartości bardzo małe.

Schemat pomiarowy do punktów 1. i 2.

1.Wyznaczanie wartości prądu bazy na granicy nasycenia.

U_CEodc=1V I_Bmin=0.1mA

2. Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Tabl. 2.

KF	IB	Uz
-----	mA	V
1	0.1	0.52
2	0.2	0.79
4	0.4	1.41
8	0.8	2.77
16	1.6	5.31

3. Praca tranzystora w układzie przełącznika.

1. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym.

Schemat pomiarowy do punktu 3.1.

Tabl. 3.1.

KF	Uz	td	tn	tp	to
-----	V	s	s	s	s
1	0.52	---	56	16	40
2	0.79	---	20	40	40
4	1.41	---	10	50	40
8	2.77	---	4	64	40
16	5.31	---	2	76	40

Wykres do tabl. 3.1.

2. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu pojemności przyspieszającej na czasy przełączania tranzystora.

Schemat pomiarowy do punktu 3.2.

Tabl. 3.2.

CB	KF	td	tn	tp	to
pF	-----	s	s	s	s
100	1	---	16	4	8
100	2	---	8	8	8
100	4	---	4	10	8
100	8	---	2	12	8
100	16	---	1	16	8
500	1	---	20	6	2
500	2	---	10	8	2
500	4	---	6	8	2
500	8	---	4	10	2
500	16	---	2	12	2

Wykres do tabl. 3.2.

3. Praca przy sterowaniu napięciem jednobiegunowym. Badanie wpływu polaryzacji zaporowej bazy.

Schemat pomiarowy do punktów 3.3.1. i 3.3.2.

3.3.1 Wyznaczanie wartości prądu wejściowego obwodu sterującego na granicy nasycenia

tranzystora

U_CEodc=11V I_WEmin=0.1mA

2. Wyznaczanie wartości napięć sterujących przy których współczynnik przesterowania osiąga założone wartości.

Tabl. 3.3.2.

KF	IWE	Uz
-----	mA	V
1	0.1	1.51
2	0.2	1.84
4	0.4	2.55
8	0.8	3.91
16	1.6	6.65

3. Wyznaczanie wartości czasów przełączania.

Schemat pomiarowy do punktu 3.3.3.

Tabl. 3.3.3.

KF	Uz	td	tn	tp	to
-----	V	s	s	s	s
1	1.51	---	48	8	20
2	1.84	---	20	16	20
4	2.55	---	10	24	20
8	3.91	---	4	32	20
16	6.65	---	2	40	20

Wykres do tabl. 3.3.3.

---