Modele diody:Dynamiczny model diody półprzewodnikowej
RU- rezystancja upływu,RS - rezystancja szeregowa,C0 - pojemność obudowy,Cd - pojemność dyfuzyjna, (stan przewodzenia),Cj - pojemność złączowa (stan zaporowy)Model SPICE
Model dynamiczny-malosygnalowy
Model odcinkowo-liniowy
Model stalego spadku napiecia
Model idealny Ed=0(pionowa w zerze) Prostownik i


Obc.rez.1.Isr=Usr/Ro,Usr=sqrt(2)*Esk/pi, Usk=Esk/2,2iM.Usr=2*sqrt(2)*Esk/pi,Isr=Usr/Ro,Usk=Esk,Zależności: :Gdy C rosnie: Maleja tetnienia,Maleje kat przeplywu,Rosnie prad szczytowy diosy,Rosnie prad skuteczny diody i transformatora. Norma IEC555:Zawartosc harmonicznych(do 40),Fluktuacje napiecia zwiazane z regulacja obciazenia,Prad wlaczania,
Filtr indukcyjno-pojemnosciowy

Skutki:Polepszenie filtracji,Zmiejszenie zawartosci harmonicznych,Wiekszy koszt,Dławik duzy.Powielacz napiecia:
TRANZYSTORY: Charakterystyki
ku,ki,kp,Zwe,Zwy,faza.|| OE:duze,duze,b.duze,srednie,srednie,180. || OC:<1,duze,niewielkie,duza-zalezy od Zobc,mala-zalezy od Zobc,0. || OB.:duze,<1,niewielkie,mala,b.duza.Ebersa-Molla:
Hybryd pi:
, parametry typu h: h11e=r.bb'+1/g.b'e; h12e=0; h21e=Bo; h22eg.ce+g.m*g.cb'/g.b'e, macierz: [U1 I2]=[H]*[I1, U2], PUNKT PRACY:
Dobór punktu pracy: Od doboru punktu pracy zależą prawie wszystkie parametry projektowanego układu. Optymalny

dobór p.p. jest kompromisem pomiędzy wymaganiami stawianymi układowi: wielkość wzmocnienia, ograniczenia mocy wydzielanej w tranzystorach (stabilność temperaturowa), poziomy napięć i prądów wyjściowych układu, ograniczenia częstotliwościowe (pasmo pracy), zniekształcenia nieliniowe, poziom szumów, poziom impedancji wejściowej i wyjściowej, warunki zasilania - stabilizowane, niestabilizowane, bateryjne Stabilność punktu pracy: zmiana T ma wpływ na: Bo, Ube, Icbo | Aby współczynniki stabilizacji były jak najmniejsze należy stosować: jak największego wartości Re i Rb, tranzystory o jak największej wartości B | UKŁADY ZASILANIA TRANZYSTORÓW: 1. stały Ib:

(rys) Ic=Bo*Ec/Rb, Uce=Ec-IcRc, konieczność stosowania duŜych wartości Rb, duŜe wartości współczynników stabilizacji 2. Stały Ie (RYS wczesniej) Ic=Ee/Re, Uce=Ec+Ee-Ic(Rc+Re), lepsza stabilizacja p.p. (wartości współczynników stabilizacji mniejsze)3. Sprzeżenie kolektorowe: RB pełni rolę sprzęŜenia zwrotnego N-S. SprzęŜenie jest tym silniejsze im wartość RB jest mniejsza. Stabilizacja p.p. zaleŜy od RC co powoduje, Ŝe układ jest trudny w realizacj, gdy zmaleje IC to zmaleje URC co pociąga za sobą wzrost UCE wzrost UCE powoduje wzrost URB co pociąga za sobą wzrost IB Rola sprzężenia w układzie: wzrost IB powoduje wzrost IC co zwrotnie zwiększa URC wzrost URC zmniejsza UCE stabilizując jego zmiany w rezultacie wzrost UCE będzie mniejszy niŜ w układzie bez sprzęŜenia 4. Nielliniowe elemanty: Liniowe obwody zasilania (obwody z elementami liniowymi - rezystory) zapewniają stałość p.p. rzędu kilku - kilkunastu % przy zmianie temperatury 20-400C. W układach wymagających znacznie większej stałości prądu - rzędu 1-0,01%, stosuje się obwody zasilania z elementami nieliniowymi., W nieliniowych obwodach zasilania wykorzystuje się ogólnie zasadę kompensacji zmian parametrów stabilizowanego elementu zmianami innego elementu o bardzo podobnych właściwościach. UKŁADY WZMACNIACZY:

, parametry robocze: I1=Ig-YgU1, I2=-YobcU2, ku=U2/U1=-y21/(y22+Yobc), kusk=U2/Eg=U1U2/EgU1=gammau*ku, kisk=Iobc/Ig=gammai*ki, Ywe=I1(2)/U1(2)=y11(22)-(y12*y21)/y22(11)+Yobc(g)), Wzmacniacz napięciowy: idealny: Zwe->8, Zwy=0, U2=kuEg, rzecz: Zwe>>Zg, Zwy<<Zobc, | Wzmacniacz prądowy: idealny: Ywe->8, Ywy=0, I2=kiIg, rzecz: Ywe>>Yg, Ywy<<Yobc, | Wzmacniacz transadmitancyjny: idealny: Zwe->8, Ywy=0, rzecz: Zwe>>Zg, Ywy<<Yobc, | Wzmacniacz transimpedacncyjny: idealny: Ywe->8, Zwy=0, rzecz: Ywe>>Yg, Zwy<<Zobc, KONFIGURACJE: OE: ki=B, ku=-gm*Robc, Rwe=r.be, Rwy=Rc, OC: ki=-B, ku=<=1 Rwe=B*Robc, Rwy=Rg'/B OB.: ki=-1, ku=gm*Robc, Rwe=r.be, Rwy=Rc Sprzężnie Zwrotne: Zalozenia: 1. Mozliwe jest podzielenie układu z SZ na dwie części:blok wzmacniacza ku (przenoszącego sygnał od wej. do wyj.), blok sprzęzenia bdostarczającego część sygnału wyj. z powrotem do jego wej.2. Obydwa bloki są układami liniowymi (bloki unilateralne),3. Blok bnie obciąza bloku ku, Rodzaje:N-R:
,N-S:
,P-R:
, P-S:
,Wplyw SZ na wrazliwosc wzmocnienia: Jest poządane by moduł wzmocnienia pętli k bbył znacznie większy od jedności, wówczas wyraźnie występują pozytywne skutki działania SZ.|KB|>>1, to b.silne SZ. Wplyw SZ na liniowosc: Współczynnik zawartości harmonicznych h jest

powszechnie stosowany do oceny jakości układów w paśmie częstotliwości akustycznych. Dobre (tzn. liniowe) układy powinny mieć h <<1%. Hf=h/(1-ku*B).Wpływ SZ na zaklocenia i szumy: SZ nie tłumi szumów i zakłóceń wytwarzanych w źródle SZ tłumi zakłócenia i szumy w układzie tym bardziej im blizej wyjścia znajduje się źródło zakłóceń(Az4 jest tłumiony najbardziej). Wplyw SZ na impedancje wejsciowa wzmacniacza: SZ równoległe (napięciowe i prądowe) zmniejsza Zwe., SZ szeregowe (napięciowe i prądowe) zwiększa Zwe. Wplyw SZ na impedancje wyjsciowa wzmacniacza SZ napięciowe (szeregowe i równoległe) zmniejsza Zwy. SZ prądowe (szeregowe i równoległe) zwiększa Zwy.Wplyw SZ na impedancje i wzmocnienie wzm.: (KuskB,kiskB,kpskf),kuf,kif,Zwef,Zwyf,F || N-S: <,<,=,>,<,1-k.u*Bu || P-S: <,<,=,>,>,1-k.iu*Bui || N-R: <,=,<,<,<,1-k.ui*Biu || P-R: <,=,<,<,>,1-k.i*Bi. Wplyw SZ na charakterystyki czestotliwosciowe wzmacniacza: SZ powoduje wzrost górnej częstotliwości granicznej tyle razy, ile razy zmniejszy się wzmocnienie w zakresie częstotliwości średnich. Iloczyn modułu wzmocnienia dla częstotliwości średnich i górnej częstotliwości granicznej nazywamy polem wzmocnienia - pole to pozostaje stałe. Stablinosc ukladow ze SZ: Korzystne działanie SZ (zmniejszenie wrazliwości, redukcja zniekształceń i zakłóceń) występują tym wyraźniej im większe jest wzmocnienie pętli T, czyli im więcej stopni wzmacniacza jest objętych SZ. Im więcej stopni jest objętych SZ zwiększa się przesunięcie fazowe w pętli SZ przez co moze zmienić się charakter SZ z ujemnego na dodatni, a w konsekwencji moze równiez wystąpić generacja w układzie wzmacniacza. Utrata stabilności występuje w układach, w których przesuniecie fazy w pętli SZ jest większe od 1800. Ocena stabilności układu kryterium Nyquista lub kryterium Bodego.Warunek stabilności mozna sprawdzić korzystając z ch-yk częstotliw. dla otwartej pętli KLUCZE: Idealny:
, Rzeczywisty:
, Klucz szeregowy:
,rownolegly:
, szeregowo-rownolegly :
, Klucz diodowy:
: Jeśli Uster>0 to D5 i D6 spolaryzowane wstecznie, wówczas I płynie przez D1,D4 i D2, D3, wskutek czego: U1=Uwe+Uf, U2=Uwe-Uf, Uwy=U1-Uf=U2+Uf=Uwe; Jeśli Uster<0 to D5 i D6 zaczynają przewodzić, a układ mostkowy zostaje zablokowany (przy symetrii układu U=0).WZMACNIACZE PRADU STALEGO:Wzmaczniacz roznicowy:
Wzmaczniacz operacyjny: Duze wzmocnienie napieciowe, wejscie symetryczne, wyjscie niesymetryczne.

, charakterystyka:Uwymax(Uwe)
Uo-wejsciowe napiecie niezrownowazenia rzedu kilku mV.Budowa wzmaczniacza operacyjnego:
Parametry idealnego: Kur=8,Kus=0,CMMR=8,Rwer=Rwes=8, charakterystyki czestotliwosciowe::

, Szybkosc narastania napiecia wyjsciowego SR: SR=delta Uwy/delta t ZASTOSOWANIE WO: Wzmacniacz odwracajacy:
Dla modelu idealnego: Kur=8, rwer=rwes=8 wtedy Uwe=0,Iwe=0, Iwe=-Iwy, Uwe/R1=-Uwy/R2,Ku=-R2/R1. Wzmaczniacz nieodwracajacy:

, Ku=1+R2/R1, Rwe=2*Rwes, Rwy=Rwyo/Kur, Wtornik napiecia:
Sumatory: odwracający
nieodwracający:
WR zbudowana z WO:
Wzmacniach pomiarowy:
Wzmacniacz całkujący:
stratny:
Różniczkujący:
zmodyfikowany:
, przesuwnik

fazy:
przet I-U
U-i:
, FILTRY AKTYWNE:dolnoprzepustowe,gornoprzepustowe,pasmowo-przepustowe,pasmowo-zaporowe,podzial: Butterwortha,Czebyszewa,Bessela,podzial ze względu na rzad,CHARAKTERYSTYKI : Filtr dolnoprzepustowy:
, gornoprzepustowy:
,Pasmowo-przepustowy:
, pasmowo-zaporowt:
,charakterystyka rosnie ze wzrostem Q, Wspolczynnik tlumienia: alfa=1/(2*Q), Uklad Sallena-Key'a (dolnoprzepustowy)

Sallena-Key'a (gornoprzepustowy)
Filtr z wieloktrotnym ujemnym SZ:
.STABILIZATORY LINIOWE: Parametry stabilizatora NAPIECIA: Napiecie wyjsciowe,zakres napiec wejsciowych,prad

wyjsciowy maksymalny i znamionowy,prad zwarcia,zakres temperatury prac,sprawnosc energetyczna, PRADU prad wyjsciowy,dopuszczalny spadek napieca (maksymalny i minimalny), napiecie rozwarcia,zakres temperatury pracy, sprawnosc energetyczna.GLOWNE PARAMETRY: Niestabilnosc od obciazenia, niestabilnosc dlugoterminowa, niestabilnosc od napiecia zasilania, niestabilnosc od temperatury. Stabilizator parametryczny z diodą Zenera. (RYS pozniej) Wymagana duża różnica E-Uo (wtedy RS jest dostatecznie duże i
(rys)stabilizacja skuteczna), Duze straty mocy, Duze szumy diody, Mała wydajnosc pradowa, Słaba stabilnosc temperaturowa, parametry: Wymagane duze RS, Stabilizator wtórnikowy:
Stabilizator równoległy:
Ii=Iż+Io, Szeregowy:
Ii=Io, mniejsze straty mocy, Źródła odniesienia: diody zenera, kompensowane diody zenera (scalone diody), band gap (napiecie baza emiter kompensowane termiczne), termostatowane źródła odniesienia,, Stabilizator kompensacyjny:

Zabezpieczenia w układach stabilizacyjnych: Zab.przed Ujemnym napieciem, Zab.termiczne, Zab.przed wstecznym, napieciem na wyjsciu, Zab.przepieciowe i przeciwnej polaryzacji na wyjsciu, | Elementy zabezpieczajace: dioda i dioda zenera, transil ( 1 i 2 stronny), triak, bezpiecznik topikowy. Charakterystyki impulsowe: Zminimalizowanie skutków skoków napiecia wejsciowego: -Dodatkowy filtr (C, L itp..) -Inne elementy tłumiace (np..transil) -Zasilacz wstepny, Zminimalizowanie efektów skoków pradu obcia_enia: •zmniejszenie impedancji wyjsciowej prze dodanie kondensatorów o małej impedancji dla wysokich czestotliwosci, •kondensatory przy elementach pobierajacych prad impulsowo Stabilizator prądowy:
WZMACNIACZE MOCY: rodzaje: zbudowane w oparciu o tranzystory bipolarne, MOS i scalone wzmacniacze mocy,, parametry: Pcmax: maksymalna moc strat - rozproszenie średniej mocy wydzielonej w tranzystorze przy maksymalnej temperaturze struktury tranzystora, P2: krytyczna moc drugiego przebicia - dopuszczalne moc przy strat przy dużych Uce defekt struktury w obszarze bazy - stopienie Półprzewodnika, Ucemax: maksymalne chwilowe napięcie Uce, Icmax, r.CES: nasycenie tranzystora - praca nieliniowa

---