el.log. OR NOT NAND, Cel ćwiczenia


Wykonanie ćwiczenia

  1. Realizacja diodowa funkcji logicznych

A. Realizacja diodowa sumy logicznej (OR)

Przebieg ćwiczenia.

Po zapoznaniu się z budową stanowiska i analizie schematu określono:

Dokonano następujących zapisów logicznych :

Układ A

Układ B

A

B

X

A

B

X

0

0

0

0

0

0

0

1

1

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

1

1

1

1

1

UA [V]

UB [V]

UR1 [V]

UR2 [ V]

A

B

X

470

220k

0

0

0

0

0

0

0

5,3

5,3

0

-6

2,7

4,8

0

1

1

-6

0

2,9

5,1

1

0

1

Układ A realizuje funkcję sumy logicznej OR. Układ B realizuje funkcję iloczynu logicznego AND.

Analizując wyniki pomiarów tych samych układów z opornikami o różnych wartościach można stwierdzić, że przy realizacji sumy i iloczynu logicznego lepsze są oporności o dużych wartościach.

Po zmianie polaryzacji napięć w układzie będzie występował prąd o bardzo małym napięciu (kierunek zaporowy diody) . Układ będzie miał tylko jeden stan logiczny - 0.

Po zmianie konwencji napięciowo logicznej na przeciwną układ A będzie realizował funkcje iloczynu logicznego a układ B sumy logicznej.

  1. Realizacja tranzystorowa funkcji logicznych

2.1 Realizacja tranzystorowa negacji logicznej (NOT)

Funktor NOT, ma za zadanie podawać na wyjściu zanegowane wartości sygnału wejściowego (np.: wej=0 to wyj=1). Zakłada się, że układ jest stabilny logicznie, jeżeli szerokość stanu „0” ma się do szerokości stanu „1” jak 1:2 (gdzie szerokość oznacza wartość napięcia), w przypadku żądanej charakterystyki, gdy napięcie maksymalne na wyjściu wynosi 9V, szerokość przedziału stanu „0” powinna być od <0-3)V a „1” od (3-9>V. Żądaną charakterystykę naszkicowano na rys. instr.

- zestawiono układ według schematu.

- y a wyniki wpisano do tabel

0x08 graphic
Ustalono początkowe wartości oporników Ra=Rb=Rc=12 [kΏ] i wykonano pomiary wartości Ux dla zmienianych (po jednym) wartości Ra,Rb,Rc .Zdjęto pięć pozostałych charakterystyk. Wyniki zapisano w tabeli. Uzyskane charakterystyki przedstawiono na wykresie.

Analiza wyników

- zestaw 1, nie spełnia warunku gdyż „0” jest tylko do 1.5V . Układ jest przesterowany. Aby to zmienić, należy zmniejszyć napięcie między bazą i emiterem co można uzyskać, zwiększając Ra lub zmniejszając Rb.

- zestaw 2, Ra zwiększono, pozostałe oporniki bez zmian

charakterystyka odpowiada przewidywaniom, strefa „0” przesunęła się w kierunku większych wartości (3V ) i poszerzyła się strefa zmiany sygnału (2 V)

- zestaw 3, Ra jak w zestawie 1, Rb- zmniejszono.

charakterystyka przesunęła się w stronę większych wartości napięcia (do około 4V), strefa zmiany sygnału (2 V)

- zestaw 4- Ra jak w zestawie 1, Rb- zwiększono do 1/3 wartości Ra

Strefa „O” zawęziła się do 3V, strefa zmiany sygnału zwęziła się do 1,5 V.

Strefa „O” rozszerzyła się do 4,5 V

Strefa „O” zawęziła się do 4,5V.

Optymalnym zestawem jest zestaw nr 4 .Zmiana sygnału następuje w pobliżu ustalonej wartości 3V a strefa zmiany sygnału jest najwęższa ze wszystkich i wynosi 1.5 V.

2.2 Badanie funktorów NOR (negacja sumy) i NAND (negacja iloczynu)

Po połączeniu układów według schematu przeprowadzono pomiary napięcia wyjściowego przy różnych stanach wejść badanych układów. Wyniki realizacji funkcji logicznych przedstawiono w tabeli.

Układ 1

Układ 2

A

B

C

X

A

B

C

X

0

0

0

1

0

0

0

1

0

0

1

0

0

0

1

1

0

1

0

0

0

1

0

1

0

1

1

0

0

1

1

1

1

0

0

0

1

0

0

1

1

0

1

0

1

0

1

1

1

1

0

0

1

1

0

1

1

1

1

0

1

1

1

0

Układ 1 realizuje negację sumy NOR a układ 2 negację iloczynu NAND.

0x01 graphic



Wyszukiwarka