Ćw. E8 |
Lipiński Zbigniew
|
WMiBM |
||
Gr.14A |
Trioda - charakterystyka. |
|||
|
Ocena |
Data |
Podpis |
|
|
|
|
|
Część teoretyczna:
Półprzewodniki są to substancje zachowujące się w pewnych warunkach jak dielektryk, a w innych jak przewodnik. Typowymi półprzewodnikami są: krzem, german, arsenek galu lub antymonek galu. Półprzewodniki mają małą szerokość pasma wzbronionego (teoria pasmowa).
Ze względu na typ przewodnictwa wyróżnia się półprzewodniki typu n - inaczej nadmiarowe (występuje tu przewodnictwo elektronowe, liczba elektronów w paśmie przewodnictwa przekracza liczbę dziur przewodzących w paśmie walencyjnym, uzyskuje się je przez domieszkowanie krzemu lub germanu pierwiastkami V grupy nazywanymi donorami) oraz typu p - inaczej niedomiarowe (występuje w nich przewodnictwo dziurowe w paśmie walencyjnym, liczba dziur przekracza liczbę elektronów w paśmie przewodnictwa, uzyskuje się je przez domieszkowanie krzemu lub germanu pierwiastkami III grupy nazywanymi akceptorami).
Odkrycie półprzewodników i wynalezienie licznych ich zastosowań spowodowało rewolucyjny postęp w elektronice (dioda półprzewodnikowa, tranzystor itd.).
Tranzystor jest to trioda półprzewodnikowa (obecnie głównie krzemowa), element czynny układów elektronicznych służący do wzmacniania sygnałów elektrycznych. Wśród wielu rodzajów tranzystorów najbardziej typowe są tranzystory bipolarne (iniekcyjne): dwuzłączowe i jednozłączowe, oraz tranzystory unipolarne (polowe). Najprostszy tranzystor bipolarny dwuzłączowy, zbudowany jest z dwóch złącz p-n położonych blisko siebie (kolejno obszary n-p-n lub p-n-p).
W tranzystorach n-p-n pierwszy z obszarów n połączony jest ze stykiem nazywanym emiterem (w bezpośrednim sąsiedztwie styku znajduje się duża koncentracja domieszek), obszar p z tzw. bazą, a drugi obszar n z tzw. kolektorem (analogicznie dla układu p-n-p). Złącze emiter-baza spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia (dioda półprzewodnikowa), złącze kolektor-baza spolaryzowane jest zaporowo.
Działanie tranzystora bipolarnego polega na tym, że prąd płynący z emitera do kolektora sterowany jest przez prąd bazy. W przypadku tranzystora polowego rolę emitera pełni tzw. źródło, a kolektora tzw. dren, prąd płynący ze źródła do drenu sterowany jest przez potencjał bazy (efekt tunelowy), który reguluje szerokość bariery potencjału oddzielającej źródło i dren.
Część laboratoryjna:
Ua |
Us |
||
|
-0,8 |
-1,2 |
-1 |
50 |
1,4 mA |
0,6 mA |
0,95 mA |
60 |
2 mA |
1 mA |
1,5 mA |
70 |
2,6 mA |
1,55 mA |
2,1 mA |
80 |
3,25 mA |
2,15 mA |
2,65 mA |
90 |
3,85 mA |
2,7 mA |
3,2 mA |
100 |
4,45 mA |
3,25 mA |
3,75 mA |
110 |
5,15 mA |
3,85 mA |
4,4 mA |
120 |
5,7 mA |
4,4 mA |
5 mA |
130 |
6,3 mA |
5 mA |
5,6 mA |
140 |
7 mA |
5,6 mA |
6,2 mA |
150 |
7,6 mA |
6,2 mA |
6,85 mA |
Us |
Ua |
||
|
100 |
120 |
140 |
-0,5 |
5,5 mA |
6,25 mA |
8 mA |
-1 |
3,8 mA |
5,1 mA |
6,3 mA |
-1,5 |
2,45 mA |
3,6 mA |
4,7 mA |
-2 |
1,3 mA |
2,4 mA |
3,35 mA |
-2,5 |
0,6 mA |
1,9 mA |
2,25 mA |
-3 |
0,2 mA |
0,65 mA |
1,35 mA |
-3,5 |
0,05 mA |
0,25 mA |
0,65 mA |
-4 |
0 mA |
0,05 mA |
0,25 mA |
-4,5 |
0 mA |
0 mA |
0,2 mA |
-5 |
0 mA |
0 mA |
0,03 mA |
Wyznaczanie nachylenia w oparciu o charakterystyki Ia /Ua/ :
gdzie:
Ua = const
Wyznaczanie wspólczynnika amplifikacji Ua :
gdzie:
Ia = const
Wyznaczanie oporu wewnętrznego triody Ra :
gdzie:
Us = const
Sa |
Ua |
Ra |
1,3375 |
23,75 |
10,55 |
Obliczanie błędu:
Wyznaczanie ΔI:
Klasa - 0,5,
Zakres - do 15 µA
Wyznaczanie ΔU:
Klasa - 0,5,
Zakres - do 150 V
Wykresy i wnioski:
Błędy i niedokładności wykresów mogą być spowodowane:
Niedokładnością bądź uszkodzeniem mierników,
Zużyciem - eksploatacją - badanej lampy,
Niedokładnością odczytu pomiarów.