Image026

osadzaniu monokrystalicznego krzemu na podłożu izolacyjnym (rys. 1.22). Główną zaletą tej techniki jest znaczne zmniejszenie pojemności pasożytniczych, natomiast wadą są większe prądy upływu, głównie z powodu niedopasowania sieci krystalicznych krzemu i podłoża oraz duży koszt materiału podłoża. Technika ta, mimo kilkuletnich badań, jest wykorzystywana tylko do specjalnych zastosowań (np. w aparaturze kosmicznej).

Dalszej poprawy parametrów oczekuje się od nowych odmian technologii

Źródło Bramka Uren

Rys. 1.23. Struktura tranzystora DMOS

MOS, tzw. DMOS i VMOS. W technologii DMOS przy wytwarzaniu tranzystorów MOS (rys. 1.23) stosuje się operację podwójnej dyfuzji.

Nowe możliwości optymalizacji technologii MOS oferuje technologia CTD. Najprostszą konstrukcją przyrządu CTD jest przyrząd z kanałem powierzchniowym sterowanym trójfazowo, którego podstawową sekcję przedstawiono na rys. 1.24. Istotnym problemem przy wytwarzaniu przyrządów CTD jest wyko-

Rys. 1.24. Struktura przyrządu CTD z kanałem powierzchniowym sterowanym trójfazowo

nanie bardzo wąskich, poniżej 1 pm, przerw międzyelektrodowych, w celu zrealizowania transferu ładunku między poszczególnymi strukturami MOS. Do wykonania przyrządu CTD potrzebne jest mniej operacji technologicznych niż przy wytwarzaniu układów scalonych MOS.

Jeśli porównamy przekroje poprzeczne struktur tranzystora bipolarnego, tranzystora MOS i przyrządu o transferze ładunku, oczywista staje się tendencja rozwoju technologii idąca w kierunku uproszczenia operacji technologicznych, osiągnięcia możliwie największych uzysków produkcyjnych oraz zwiększenia gęstości upakowania elementów.

1.3.4. Rozwój półprzewodnikowych scalonych układów cyfrowych

Niewątpliwie, od czasu wynalezienia tranzystora (1948 r.), układy scalone LSI są największym osiągnięciem w dziedzinie elektroniki. Stosowaniu układów o coraz większej skali integracji towarzyszy zmniejszenie kosztów sprzętu elek-