51

i powstaje zniekształcenie grzbietu impulsu sterującego tranzystorem. Ładowanie pojemności sprzęgającej odbywa się zgodnie z zależnością2.13.

U_c =E_f

'-Si    e

\—e

(2.13)

gdzie: r = R„.C_K. jest stałą czasu obwodu wejściowego.

Po zakończeniu impulsu pojemność rozładowuje się w tym samym obwodzie, a zmianie kierunku prądu podczas rozładowania odpowiada zmiana polaryzacji napięcia £/&,. Zniekształcenie grzbietu impulsu określane wielkością zwisu (Z) zależy zatem od tych samych elementów, które decydują o fj obwodu.

Wpływ obwodu emiterowego na zniekształcenia liniowe w zakresie dolnych częstotliwości (grzbietu impulsu) jest podobny do wpływu obwodu wejściowego, ale fizyczna interpretacja zjawiska inna. Na rysunku 2.11 przedstawiono schemat zastępczy wzmacniacza z uwzględnieniem wpływu tylko obwodu emiterowego.

Rys. 2.11. Uproszczony schemat zastępczy wzmacniacza uwzględniający wpływ tylko obwodu emiterowego

Dla zakresu średnich częstotliwości obwód emiterowy ma charakter pojemnościowy i dzięki pomijalnie małej impedancji Z_E emiter „podłączony"’ jest do masy. Przy zmniejszaniu częstotliwości sygnału generatora charakter obwodu emiterowego ulega zmianie na rezystancyjny, a w wyniku zwiększania się Ze odkłada się na niej coraz większy spadek napięcia. Wzrostowi napięcia na Ze towarzyszy zmniejszanie się napięcia sterującego a zatem i zmniejszanie się wzmocnienia. W ten sposób realizuje się ujemne sprzężenie zwrotne prądowo—szeregowe, które może zmniejszyć wzmocnienie do wartości wynikającej z zastosowanego Re (rysunek 1.10).

Dla sygnału wejściowego Eq o postaci impulsu prostokątnego występuje ładowanie i rozładowywanie pojemności C_E. W wyniku ww. procesów

51