Elektronika W Zad cz 2 3

Elektronika W Zad cz 2 3



W Cijtiyfuki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown układów półprzewodnikowych

wartościach. Wtedy jednak dla składowej zmiennej mała rezystancja bocznikuje uzyskaną wartość rezystancji równą hue + (\ + hzie) Re > w znacznym stopniu niweczy efekt działania ujemnego szeregowego sprzężenia zwrotnego. Wyjściem z. tej sytuacji jest przyjęcie struktury z. dodatkowym rezystorem R< jak na tematowym rysunku 3.19.1. Porównując wyniki dla wtórników z zadań 3.18 i 3.19 widzimy, że uzyskaliśmy podobne wartości rezystancji wejściowej, przy czym jednak w ostatnim układzie na schemacie do analizy zmian temperaturowych w obwodzie bazy występuje rezystancja zastępcza o wartości tylko Ra - R< + Ri || R; = 50 kfi.

Ad 3. Obciążenie Rl jest podłączane równolegle do rezystancji emiterowej RE wtórnika, czyli jego wpływ może znaleźć odbicie w' powyższych zależnościach przez podstawienie w miejsce Rz wartości Ry = Rz II Rezystancję wyjściową wtórnika obliczymy jako równą tej wartości rezystancji obciążenia RL, przy której wzmocnienie napięciowe zmniejsza się o połowę. Z poprzednich zadań wiemy, że rezystancja ta jest o dwa rzędy mniejsza niż RE i dlatego przyjmiemy dla prostoty, żc Rz = Rz II Rl ~ Rt.- Na podstawie zależności (3.19.3) i (3.19.5) możemy wtedy napisać:

(3.19.11)

(3.19.12)


Ry__ R,

.+Rz:u-aj^+Rl

ł.ącząc dwa ostatnie równania otrzymujemy:

Hf WY


Rl+u„


(3.19.13)


R)+ w


+ Kl


Po przekształceniach:

V lh t    h~ I

—(I +^±Rl)=^-Rl+-


ń,i


^3K !<•


(3.19.14)


^3 + ^ilr

(3.19.15)


- = 0,495


Podstawiając wzmocnienie równe połowic wartości dla wtórnika nieobciążonego: _ k„ = 0.989 2

oraz inne dane liczbowe otrzymujemy równanie kwadratowe:

(3.19.16)


0,495 (1 + — R,) = — Rl +-^-

1 kfi L 1 kfi L 0.976 kQ + RL

które ma jedno rozwiązanie dodatnie o wartości Rl = 9,90 fi.

Rozwiązanie 2

Do analizy omawianego układu może być także zastosowana metoda macierzy admitancyjnej, pod warunkiem wcześniejszego przeliczenia wartości podanych parametrów hybrydowych />, na parametry admitancyjnc y i określenia macierzy admitancyjnej tranzystora dla konfiguracji WK. Przeliczenia takiego dla przykładowych podanych w temacie wartości dokonano już w poprzednich zadaniach, więc możemy wykorzystać znane już wartości parametrów admitancyjnych tranzystora:

W Ciązynsta - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosyynałowa układów półprzewodnikowych



yu= ImS    yn = 0 mS

y21 = 100 mS y-n = 0 mS

Dla tych wartości należy utworzyć pełną macierz admitancyjną tranzystora oraz skreślić w niej wiersz i kolumnę odpowiadającą kolektorowi. Przeliczamy też wartości rezystancji w układzie na odpowiadające im admitancje:

Y} = lIR} =1/(40 kfi) = 0,025 mS;

Yz= l/Rz =1/(0.909 kiż) = 1,100 mS;

Schematu zastępczy analizowanego układu dla składowej zmiennej (pokazany poprzednio na rysunku 3.19.2) w wersji admitancyjnej przedstawia rysunek 3.19.4. Schemat ten zawiera tylko 2 węzły, którym przydzielono oznaczenia: © dla wejścia (wyprowadzenia bazy) i ® dla wyjścia (wyprowadzenia emitera).

Macierz układu posiadającą dwa wiersze i dwie kolumny pokazano na rysunku 3.19.5, ajej postać liczbową na rysunku 3.19.6.


© (B)

® (E)


© (B)_© (E)

© (B) @(E)

K? + VII

-Yj-yu

- K) - yn - V2i

Ys + Yz + yn + yu

Rys. 3.19.5 Macierz admitancyjna układu wzmacniacza z rysunku 3.19.4 (a więc i z rysunku 3.19.1)


© (B)_® (E)

1,025

- 1,025

- 101,025

102,125

Rys. 3.19.6 Postać liczbowa macierzy admitancyjnej układu wzmacniacza z rysunku 3.19.4 (wartości admitancji wyrażone w mS)


Ad 1. Układ pracuje bez obciążenia zewnętrznego. Obliczamy wzmocnienie napięciowe ku układu ze wzoru Nr 2 podanego w tabeli W3.7:


(— l)'^2 (—101,025) mS 102.125 mS


= 0.989


(3.19.17)


Ad 2. Rezystancję wejściową dla sygnału um obliczamy ze wzoru Nr 6 w tabeli W3.7 w którym podstawiamy wartość wyznacznika macierzy jako:

A = [1,025 • 102,125 - (-1,025) • (-10 l,025)](mS)2 = 1.1275 (mS)2    (3.19.18)


Otrzymujemy zatem wartość Rn


/?,.=-


102,125 mS


A 1,1275 (mS)2


= 90,6 kQ


(3.19.19)


Ad 3. Rezystancję wyjściową obliczamy przy wykorzystaniu wzoru Nr 8 z tabeli W3.7, uwzględniając rezystancję wewnętrzną źródła sygnału wejściowego «», równą zeru (podwyznacznik Au, 22 macierzy, z której skreślono obydwa wiersze i obie kolumny ma z definicji wartość 1):


_ ^1^22 +A||.22    A11.22 _


R; A + A,


A,,    102,125 mS


=9,79 n


(3.19.20)


Niewielkie różnice otrzymanych wartości liczbowych w stosunku do wartości z rozwiązania 1. wynikają ze stosowanych tam zaokrągleń wyników pośrednich.

- 105-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 4 W C.ążyńsk. ■ ELEKTKONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown ukła
Elektronika W Zad cz 2 3 W Ciąiymki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiz* malosygnałowa układ
Elektronika W Zad cz 2 6 W. Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3- Analiza malosygnalowa uk
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciążyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3: Analiza małosygnałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 7 W Ciązyń&ki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa
Elektronika W Zad cz 2 5 w Cmn-nsk, - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część i Analiza malosygnalowa układ
Elektronika W Zad cz 2 9 w Ciątyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 7 W Cniyójki - elektronika w zadaniach Część 3: Analiza malosygnałowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3; Analiza malosyynałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 2 w Ciążynski ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa układó
Elektronika W Zad cz 2 5 W C.vyński ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3. Analiza malosygnalowa układó
Elektronika W Zad cz 2 6 w Ciąiyrtski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnałowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 1 w c»ą*yn*ki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 5 W Ciązynski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małosygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąłyśaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloiygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 1 w CivyA»lti - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloaygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 2 W Ciąiyrtski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3: Analiza maimygnalowa ukł
Elektronika W Zad cz 2 4 w CiążyAski ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza mnłosygnałowa układó
Elektronika W Zad cz 2 8 W CiązyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza małoaygnalowa ukła

więcej podobnych podstron