Elektronika W Zad cz 2 4

Elektronika W Zad cz 2 4



w Ciąiyński - F.LEKTRONIKA W ZADANIACH

Clfii 3 Anuli/,i m.lojyiiniilowu układów półprzewodnikowych

w Ciąiyński - F.LEKTRONIKA W ZADANIACH

Clfii 3 Anuli/,i m.lojyiiniilowu układów półprzewodnikowych


Zadanie 3.20

Dla wtórnika źródłowego na tranzystorze polowym złączowym (ang. j-n FET) pokazanego na rysunku 3.20.1, pobudzanego przebiegiem sinusoidalnym uKe o częstotliwości 10 kHz należy:

1.    dobrać wartości rezystancji R, i R3 takie, aby przy braku obciążenia (tzn. dla RL = co) uzyskać jednocześnie wzmocnienie k„ = um/uw = 0,9 oraz rezystancję wejściową Rwe- 10 MŚ2, jeśli rezystancja R2 określająca punkt pracy na charakterystyce przejściowej tranzystora jest dana, zachowanie tranzystora dla małych przyrostów prądów i napięć w otoczeniu tego punktu pracy opisują parametry małosygnałowe typu y o wartościach:

y,, = OmS; y/2 = 0mS; y2l = gm = 4 mS; y22 = gj, = Q mS; a dla częstotliwości sygnału wejściowego impedancje kondensatorów sprzęgających Cwe i C„T są równe zeru (tzn. kondensatory te można uważać za zwarcie). Następnie należy:

2.    oszacować wartość napięcia zasilającego EDD potrzebną do uzyskania bez zniekształceń 5 Vpp napięcia wyjściowego, jeśli w punkcie pracy mamy ID = 4 mA, a tranzystor pozostaje w pentodowym obszarze charakterystyk wyjściowych dla napięć Uds > 3 V.



Rozwiązanie 1

Aby otrzymać schemat zastępczy analizowanego układu dla składowej zmiennej o postaci jak na rysunku 3.20.2. musieliśmy tym razem tylko podłączony do stałego napięcia zasilającego Eod dren tranzystora potowego zewrzeć z masą, oraz zewrzeć kondensatory sprzęgające Cwr i C„,,. Z rysunku wynika, że napięcia wejściowe i wyjściowe są odniesione do potencjału masy, do którego jest podłączony dren tranzystora. Okazuje się więc, że tranzystor pracuje w konfiguracji WD.

Wrysowanie pomiędzy wyprowadzenia tranzystora jego schematu zastępczego dla podanych w temacie parametrów maiosygnałowych y doprowadza nas do schematu jak na rysunku 3.20.3. Schemat ten zawierający 2 źródła wymuszające («„e oraz g„ ugsmoże być dla małych sygnałów uważany za liniowy, a więc może być rozwiązany dzięki zastosowaniu zasady superpozycji i podstawowych twierdzeń elektrotechniki.

Ad 1. Pierwsza składowa prądu i», obciążającego źródło sygnału (wynikająca z działania SEM równej u„ przy rozwartej SPM) wynosi:

powered by

Mi si ol

<ur -


(.WP

pierwsza składowa napięcia wyjściowego wynosi zatem:

(3M2>

Jak wynika z rysunku 3.20.2 napięcie ugs od którego zależy prąd SPM (drugiego źródła) jest różnicą napięcia wejściowego i wyjściowego. Druga składowa prądu iwe (obliczona dla działającej SPM równej gm przy zwartej SEM) wynika z rozpływu prądu na dwie gałęzie równoległe o rezystancjach Rt i Rj, czyli R    R

Kr =    +    ~uv ^ + ^    (3.20.3)

Tej sytuacji odpowiada druga składowa napięcia wyjściowego równa spadkowi napięcia na R? i szeregowo z nią połączonej rezystancji Rt ||/?,. Rezystancja R, przez którą płynie stały prąd h będzie miała (podobnie jak R2) wartość rzędu kil a (ponieważ dążymy do uzyskania rezy stancji wejściowej rzędu Mii) należy oczekiwać że Ri (przez który płynie tylko znikomy prąd stały /c) okaże się znacznie większe, a więc rezystancja ich równoległego połączenia hędzie miała wartość bardzo bliską R,.

R R

U„ =    '7) = 8JU,r -ff„,.)(«2 +R})

A, + A,

Łącząc ze sobą równania (3.20.2) i (3.20.4) mamy: ffiw =«„ +«iw    • „ +g„,(«ut -un)(R2 +R})


(3.20.4)

(.3.20.5)

R1 + R-


-+gJR,+Ry)


(.3.20.6)


Z omówionych powyżej powodów pierwszy składnik w nawiasie po prawej stronic równania jest znacznie mniejszy od drugiego, czyli może być pominięty, a więc wyrażenie określające wzmocnienie napięciowe przyjmuje postać:

1 -+gm(R 2+^3)


k -    - R' + ^


gJ& + Ri)

(3.20.7)

“ur    l+S,„(^2 + ^3)    1 + S.,(^2+^3)

z której możemy już wyznaczyć spełniającą warunek wzmocnienia k„ = 0.9 wartość rezystancji R3. Mamy kolejno: gm(Rz +*,) = *.[! + *,„(/?,+/?,)]

g«(/fi+/fJ)a-jfe.)=Jt.    (i.20.8)

Ł _    0,9


*,=


(l-0.9)4);i5


-un = i,25m


Z kolei łącząc ze sobą równania (3.20.1) i (3.20.3) mamy:

«...    .    . Rj

--S,„(K»r


R, + R,r Skąd uwzględniając    u,w otrzymujemy:

*..(*+*,) = *„ [i-*. (I-*.)**]

czyli rezystancję wejściową określoną jako:


(3.20.9)

(3.20.10)


- 107-


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Elektronika W Zad cz 2 4 W C.ążyńsk. ■ ELEKTKONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza malosygnalown ukła
Elektronika W Zad cz 2 4 W. Ciąiyńiki _ ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cme 3 Aniliz, malosygiulowa ukWów
Elektronika W Zad cz 2 4 W Ciąiyński-ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cjtęić 4 Charakterystyki częstotliwo
Elektronika W Zad cz 2 9 W Ctązyfokt ELEKTKONIKA W ZADANIACH Czcić 3 Analiza mnlosygnalowa układó
Elektronika W Zad cz 2 4 w CiążyAski ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza mnłosygnałowa układó
Elektronika W Zad cz 2 0 W CiąiyńjŁ, _ ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cj*44 3 . An»lia malo»ygnolo»u ukt
Elektronika W Zad cz 2 4 W Ciązynski ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Annli/a małosygruiłowa układ
Elektronika W Zad cz 2 4 w Ciązynskt - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Częić 3 Analiza małosygnnłowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 3 w Ciąiyńjki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4: Charakterystyki częstotli
Elektronika W Zad cz 2 4 (W4.23) W CiuJtyruki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH    3 CzęSć
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąiyńskl-ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliwoś
Elektronika W Zad cz 2 4 W Ciąsyński - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Ctjęic 4 Charakterystyki czestotli
Elektronika W Zad cz 2 5 w Ciąiyńikl - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 4 w CiążyAski - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 4 Charakterystyki częstotliw
Elektronika W Zad cz 2 4 w Civyóikt - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Cżęić 4 Charakterystyki częstotliwo
Elektronika W Zad cz 3 4 w Ciązyński - Ei-EKTRONIKA W ZADANIACH Część 5 Idealne wzmacniacze opera
Elektronika W Zad cz 3 0 W Ciąiyńjki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH C /ęść 5 Idealne wzmacniacze opera
Elektronika W Zad cz 2 0 W Ciąłyśaki - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloiygnalowa ukła
Elektronika W Zad cz 2 1 w CivyA»lti - ELEKTRONIKA W ZADANIACH Część 3 Analiza maloaygnalowa ukła

więcej podobnych podstron