Laboratorium Elektroniki cz I 2

Laboratorium Elektroniki cz I 2



40

2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz (p) - jest to parametr określający względne zmiany napięcia stabilizacji w funkcji temperatury, przy założeniu stałej wartości prądu płynącego przez złącze.

40


---— dla ly = const.

Uz dT    Z


(1.16)


Znak temperaturowego współczynnika stabilizacji zależy od mechanizmu przebicia złącza; i tak, dla przypadku zjawiska Zenera jest on ujemny, a dla zjawiska lawinowego dodatni. Możliwość wzajemnej kompensacji wpływu temperatury w sytuacji współwystępowania obydwu mechanizmów przebić jest możliwa (dla diod z zakresu Uz = 5-7 V), ale dla danej diody może nastąpić tylko w jednym punkcie pracy, w którym przecinają się charakterystyki uzyskane dla różnych temperatur pracy (rys. 1.6). Ponieważ stabilistory o współczynniku TKUz bliskim zera są bardzo pożądane, skonstruowano więc tak zwane stabilistory skompensowane: w jednej obudowie montuje się dwa złącza połączone szeregowo, przeciwsobnie. Głównym złączem jest stabilizacyjna dioda lawinowa, a złączem pomocniczym

I


Rys. 1.6 Wpływ temperatury na charakterystyki prądowo-napięciowe diody Zenera

normalna dioda spolaryzowana w kierunku przewodzenia. Warunkien_

powered by

<MłSai ol


cji wpływu temperatury jest równość temperaturowych współczynników zmian napięcia na obu złączach. Przy odpowiednim doborze złącz wartość współczynnika TKUz jest nie gorsza niż 10'5 [K'1], natomiast typowe wartości napięć stabilizowanych Uz zawierają się w przedziale 6,2-6,8 V.

3.    Rezystancja dynamiczna rz - jest wyznaczana dla zakresu stabilizacji, dla określonej wartości prądu płynącego przez diodę. Najmniejsze wartości, rzędu pojedynczych omów, posiadają diody o napięciach stabilizacji od 6 do 8 V.

AU7

r =—— dla I7 = const.    (1.17)

Al z

4.    Maksymalny dopuszczalny prąd stabilizacji lima* - wyznaczamy z zależności:

u


(1.18)

U ry

Należy zwrócić uwagę, że maksymalna, dopuszczalna moc strat Pmax, jaka może się wydzielić w diodzie przy pracy ciągłej, jest wyznaczana dla pracy w zakresie przebicia złącza.

1.2.8. Diody tunelowe

Diodami tunelowymi nazywamy diody wykorzystujące zjawisko tunelowe, posiadające w obszarze przewodzenia ujemną rezystancję dynamiczną, na części swojej charakterystyki prądowo-napięciowej (rys. 1.7). Projektowane są one z uwzględnieniem następujących wymagań:

•    punkt pracy znajduje się w obszarze charakterystyki o ujemnym nachyleniu;

•    maksymalizacja wartości stosunku prądu wierzchołka charakterystyki do prądu doliny;

•    minimalizacja wartości różnicy pomiędzy napięciami doliny i wierzchołka charakterystyki;

•    jak największa szybkość działania;

•    minimalna powierzchnia złącza.


Wyszukiwarka

Podobne podstrony:
Laboratorium Elektroniki cz I 2 40 2. Temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji TKUz ((3) -
Laboratorium Elektroniki cz I 2 100 4.    Napięcie przebicia dren-żródło UDss - nap
Laboratorium Elektroniki cz I 2 100 4.    Napięcie przebicia dren-żródło UDss - nap
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od na
Laboratorium Elektroniki cz I 2 120 Rys. 6.7. Zależność prądu fotoelektrycznego fotodiody lF od na

więcej podobnych podstron