Laboratorium Elektroniki cz I 6

48

-    Oś prądowa naszej charakterystyki odpowiada podziałce wzmacniacza Y oscyloskopu, z tym że aby uzyskać podziałkę w A/dz, ustawione wzmocnienie wyrażone w V/dz należy podzielić przez wartość rezystancji rezystora R_p (dlaczego?).

-    Przebadać wszystkie diody i tranzystory, dla których zdejmowano charakterystyki statyczne.

Uwaga:

•    Podstawowe parametry techniczne badanych diod znajdują się w dodatku D.2.

•    Podczas wszystkich pomiarów nie wolno przekraczać dopuszczalnych wartości prądów i napięć badanych elementów.

1.6. Tematy do opracowania

1.    Wyniki z pomiarów przeprowadzonych w p.1 programu przedstawić na dwóch zbiorczych wykresach: z liniową i logarytmiczną skalą prądu przewodzenia.

2.    Dla każdej z przebadanych diod na podstawie uzyskanych wykresów wyznaczyć wartości: współczynnika doskonałości złącza m, potencjału dyfuzyjnego <p_D i prądu nasycenia ls- Do wyznaczenia wartości współczynnika m posłużyć się zależnością (1.22), którą należy umieć wyprowadzić

_{m =} _L.Ł^    (1.22)

‘OT ln^

gdzie: Ui, li oraz U2,12 współrzędne dwóch punktów pomiarowych na charakterystyce prądowo-napięciowej diod (jak należy dobrać te punkty?).

3.    Wyniki z pomiarów przeprowadzonych w p. 3 programu przedstawić na dwóch zbiorczych wykresach: z liniową i logarytmiczną skalą prądu przewodzenia.

4.    Na podstawie wykresów uzyskanych w p. 3 wyznaczyć odpowiednie parametry diod „tranzystorowych" zgodnie z postępowaniem przedstawionym w p.2.

5.    Dla wszystkich przebadanych elementów wyznaczyć wartości rezystancji dynamicznych r_d przy prądach 0,1 mA, 1,0 mA i 10 mA.

0 Wykreślić charakterystyki prądowo-napięciowe diod stabilizacyjrw

powered by

napięcia stabilizacji Uz oraz zakresy stabilizacji dla poszczególnych diod. Wyznaczyć też maksymalne dopuszczalne prądy stabilizacji Ib™*.

7.    Dla wszystkich stabilistorów wyznaczyć rezystancje dynamiczne r_z dla następujących punktów pracy: 0,1 mA, 0,5 mA, 1.0 mA, 2 mA, 5,0 mA. 10,0 mA. Uzykane wyniki przedstawić w postaci wykresów.

8.    Wykreślić wyniki uzyskane za pomocą oscyloskopu.

9.    Porównać charakterystyki uzyskane metodą „punkt po punkcie” z uzyskanymi za pomocą oscyloskopu. Wyjaśnić zaobserwowane różnice.

10.    Porównać wartości wyznaczonych parametrów diod z wartościami podawanymi w katalogach (zrobić odpowiednie zestawienia w postaci tabel) oraz z przewidywaniami teoretycznymi i wyjaśnić zaobserwowane różnice.

1.7. Literatura

1. W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1987, s. 162-217.

2.    A. Świt: Przyrządy półprzewodnikowe. WNT. Warszawa 1968, s. 83-178.

3.    K. Waczyński: Przyrządy półprzewodnikowe. Gliwice 1997. Skrypt nr 2022, s. 86-166

4.    Encyklopedia techniki. Tom: Elektronika. WNT, Warszawa 1983.

5.    J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.