Laboratorium Elektroniki cz I 1
98
Rys 5 2 Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z kanałem: a) zubożanym, b) wzbogacanym
99
Rys 5 3. Charakterystyki przejściowe dwubramkowego tranzystora NMOS z kanafem zubożanym
y 5.4 Dozwolony obszar pracy tranzystora MIS: I - przebicie kanału między drenem a źródłem w stanie przewodzenia tranzystora, II - przebicie złącza dren - podłoże w stanie odcięcia tranzystora
Wyszukiwarka
Podobne podstrony:
52502 Laboratorium Elektroniki cz I 1 98 Rys. 5.2. Charakterystyki przejściowe tranzystorów NMOS z
50493 Laboratorium Elektroniki cz I 1 s 118 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykon
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi » Ubemi3.6.
Laboratorium Elektroniki cz I 1 198 Rys. 11.4. Analiza pracy tranzystorowego wzmacniacza rezystanc
Laboratorium Elektroniki cz I 0 3. Przedstawić i omówić charakterystyki statyczn
Laboratorium Elektroniki cz I 1 Rys. 6.5. Charakterystyki widmowe fotorezystorów wykonanych z CdS
Laboratorium Elektroniki cz I 7 170c) d) Rys. 8.12. Zasada wyznaczania charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys. 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk staty
Laboratorium Elektroniki cz I 7 170c) d) Rys. 8.12. Zasada wyznaczania charakter
Laboratorium Elektroniki cz I 7 30 Rys. 1.2 Charakterystyki prądowo-napięciowe diod wykonanych z g
Laboratorium Elektroniki cz I 1 78 CC Rys. 3.10. Układ do pomiaru napięć nasycenia Ucemi i UBEsai3
Laboratorium Elektroniki cz I 8 132 Rys 6.17. Układ pomiarowy do wyznaczania charakterystyk statyc
więcej podobnych podstron