Laboratorium Elektroniki cz I 1

158

158

159

7.7. Literatura

3. Określenie wpływu temperatury na właściwości tranzystorów bipolarnych

•    Zaproponować i zestawić odpowiedni układ pomiarowy.

•    Wykonać pomiary wartości napięcia Ube (w funkcji temperatury) dla badanych tranzystorów po ich odpowiednim spolaryzowaniu.

•    Wykonać pomiary wartości prądów zerowych I_Cbo oraz I_Ceo badanych tranzysto. rów po ich odpowiednim spolaryzowaniu.

•    Wszystkie pomiary wykonać dla temperatury pokojowej oraz dla temperatur. 30, 40, 50. 60. 70°C.

7.6. Tematy do opracowania

Ipowered by

Mi siół

W. Marciniak: Przyrządy półprzewodnikowe i układy scalone. WNT, Warszawa 1987. s. 128-132, 184-186, 518-520.

W. Jankę: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. WNT, Warszawa 1992.

W. Golde: Wzmacniacze tranzystorowe. WNT, Warszawa 1971.

K. Badżmirowski, J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Miernictwo elementów półprzewodnikowych i układów scalonych. WKŁ, Warszawa 1984.

J. Kołodziejski, L. Spiralski, E. Stolarski: Pomiary przyrządów półprzewodnikowych. WKŁ, Warszawa 1990.

1.    Uzyskane wyniki pomiarów zestawić w odpowiednich tabelach.

2.    Zestawić na jednym wykresie zmiany napięcia stabilizacji AUz wszystkich przebadanych diod stabilizacyjnych.

3.    Wyznaczyć dla wszystkich przebadanych diod stabilizacyjnych wartości bezwzględnych i względnych temperaturowych współczynników zmian napięcia stabilizacji.

4.    Wykreślić w funkcji napięcia stabilizacji wartości wyznaczonych temperaturowych współczynników zmian napięcia stabilizacji.

5.    Z uzyskanych dla różnych temperatur charakterystyk prądowo-napięciowych wyznaczyć wartości rezystancji dynamicznej rz dla różnych temperatur. Uzyskane wyniki wykreślić.

6.    Sporządzić wykresy napięć U_F w funkcji temperatury dla wszystkich przebadanych diod.

7.    Sporządzić wykresy prądów wstecznych l_R w funkcji temperatury dla wszystkich przebadanych diod.

8.    Sporządzić wykresy napięć Ube w funkcji temperatury dla wszystkich przebadanych tranzystorów.

9.    Sporządzić wykresy prądów zerowych Icbo i Iceo w funkcji temperatury dla wszystkich przebadanych tranzystorów.

10. Zestawić uzyskane wyniki z danymi katalogowymi w odpowiedniej tabeli.

11 .Przedyskutować uzyskane wyniki.