Laboratorium Elektroniki cz I 0

256

3. Diody stabilizacyjne

	Parametry graniczne (t*me=25°C)					Parametry charakterystyczne (t^						= 25°C)
Oznaczenie wyrobu	If	P.«	<1	In przy Un			UF przy lF		Uz			r2	TKU2 przy lz
	A	W	°C	PA	V		V	A	V			O	10“*/ °c	mA
	max	max	max	ma X			max		min	nom	max	max	typ /max/
BZP630C7V5	0.2	0.25	150	1	1.5		1.2	0.1	7.0	7.5	7.9	10	+5	5
BZP650C10	3	1.2	150	0.5	7.5		1.2	0.5	9.4	10,0	10.6	4	(+9)	50
BZP683C3V3	0.2	0.4	150	30	1		1.1	0.1	3.1	3.3	3.5	100	-6	5
BZP683C20	0.2	0.4	150	1	14		1.1	0.1	18.8	20,0	21.2	55	+8.0	5
BZP6870V75	0.02	0.1	150	1	6				0.7	0.8	0.85

ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE

powered by

Mi siol

1. Diody elektroluminescencyjne

Oznaczenie wyrobu	Parametry dopuszczalne		Parametry charakterystyczne
	If	Ur	Ir	przy Ur	UF	I,	\
	mA	V	pA	V	V	mcd	nm
CQO 431	<30	<5	£ 100	5	£2.0	21	650...680
CQP 432	£ 30	£5	£ 100	5	£3.2	2 1	550...570
CQP 433	<30	£ 5	£ 100	5	£3.2	21	580...600
CQP 441B	<30	<5	£ 100	5	£2.0	2 0.8	650.. .680
CQYP 32 A	<30	£3	£100	3	£3.2	>0.8	550...570
CQYP33B	<30	<3	<100	3	£3.2	2 0.4	580...600
CQYP40A	<30	<3	£ 100	3	£2.0	2 0.8	630...700

2. Fotodiody

Oznaczenie wyrobu	Parametry dop.		Parametry charakterystyczne
	Ur		\ = 900 mm E, = 100 pW/cm^2		^opl	przy Ur	T„ = 2856 K: E = 100 lx
			S,x	przy Ur			s„	przy Ur
	V	mA	A/W	V	nm	V	A/lx	V
BPYP30	£100	£1.5	2 0.25	60	800	60	ł O A)	60
BPYP35	£ 100	< 1.5	2 0.25	60	800	60	> 2-10"^8	60
BPYP 41	£100	£1.5	2 0.25	60	800	60	>0.2 10*	60
BPYP 44	£ 100	<1.5	2 0.4	45	800	45	2 2.510*	45

3. Fototranzystory

Oznaczenie wyrobu	Parametry dopuszczalne			Parametry charakterystyczne
	Uce	Uec	P.«	l0 przy Uce		Tb = 2856 K E = 1000 lx		t,	t.	fr
						li przy Uce
	V	V	mW	uA	V	mA	V	PS	HS_	kHz
BPRP22	£30	£5	£100	£0.1	15	2 0.7	5	£ 5	£ 5	2 70
BPYP 21	£ 8	£5	£ 50	<0.5	6	2 0.05	5	£10	£10	2 30
BPYP 22	£ 15	£5	<100	£0.1	15	2 0.25	12	£10	£10	2 60
BPY2 24	£15	£5	£100	£0.1	15	2 1.0	5	£10	£10	2 60