Scan0009 4

, s h n i 11 u sterującego, potrzebna do sterowania przepływem energii przez ten przy-i m! |r .i bardzo mała i zależy od jego typu.

1'i/M/ijdy półprzewodnikowe mogą być klasyfikowane ze względu na technolo-l i. •• s k. .minia konstrukcję, sposób działania itp.

|'i v|inii|ij* piko kryterium zasadę działania, rozróżnia się trzy samodzielne i wza-j« mm. n/np( Imające się grupy przyrządów półprzewodnikowych: hjpnjiit tu*,

Ullipolai nr,

l.ip. .laiih .Irmwane napięciowo.

ilłs, ; l, Ob - ary •.latyc/nyeh charakterystyk napięeiowo-prądowych przyrządów półprze-...liill...u ■,. li i i yMinek poglądowy - skale na osiach I_T i Ir oraz Ur i Ut są różne) [18]

a)

Blady //

u,	UP
)
lyiyitery //
SCR
117	sIq>0

iiłs I \ i hąinktris .tyld inipięi Iowo prądowe idealnych pi/yi/i|dd\< pol|ii/rwotlnlkowywh

i mila U 3t), w Manie blokowRńltt/^m Q)i a) diody pronuiwniww h) lutu

t:_:1111 N |i ISI i 1 i t (1)11 oblul.tnli l.ji /riilo'.'. r i i i lyi \ Moi \ I. tim . tu |niinliir i lolołuyb |.    . i i .... pugkni li(iinikl) il) I . i • •.    ! .• -.i..- U it) I Ql I • .1 i i .li.ii. i.

His. * u pńiikan litłtiliki)

2,4. Stan w 2003 r. i prognoza fepwo|ii (strzałki) półprzewodnikowi¹ li przyrządów energoelektronicz-Mi ti)

• i^:    tyrystory konwencjonalne,

i i i fototyrystory, TRIAK - tyrys-fpiy nhnkierunkowe, GTO - tyrystory wy ląezalne, GCT - tyrystory wy-ł*i< /mIno    komutowane bramką,

tul! I tranzystory bipolarne z izo-I¹¹ łiii| bramką, PIC - energoelek-tiuiii. /iu* układy scalone, MOSFET itnii/ystory połowę

l 'i zyrządy półprzewodnikowe można klasyfikować ze względu na sposób ich ste-pwttnia:

mcsterowalne (diody);

i . /y.ściowo sterowalne (sygnał bramkowy umożliwia tylko załączenie przyrządu w określonej chwili, przy odpowiedniej polaryzacji końcówek głównych, np. tyrystor Konwencjonalny);

I w pełni sterowalne (określony sygnał bramkowy umożliwia załączenie i wyłączenie przyrządu w dowolnej chwili, przy odpowiedniej polaryzacji końcówek głównych, np. tyrystor wyłączalny GTO, tranzystor IGBT).

Właściwości przyrządów półprzewodnikowych w ustalonych stanach pracy (prze-fcud/enia, blokowania, zaworowym) najpełniej przedstawiają charakterystyki napię-gjnwo prądowe (rys. 2.2 i 2.3). Na rysunku 2.4 przedstawiono stan aktualny oraz prognozę rozwoju przyrządów półprzewodnikowych i energoelektronicznych układów s. glonych.

1-2. Konstrukcja przyrządów energoelektronicznych

hut-.lawowym elementem konstrukcyjnym przyrządu półprzewodnikowego mocy k i płytka monokrystalie/nego krzemu, w której wytwarza się wielowarstwową ii ul.im. n pi yleglyeh do siebie przemiennie warstwach typu V i N. Płytkę krzemo i podk.ludkatm kompensacyjnymi i elektrodami kontaktowymi zamyka się v ./i/eliu | ubuilłi\vir, która zapewnia poprawni) pracę przyrządu półprzewodniku wago i ot Im my pi/iid wpływami środowisku.