23

Dla wersji z FET-owym wzmacniaczem wejściowym pełna realizacja ww« rozwiązania jest niemożliwa ze wzglądu na wymagania dynamiki od strony wejścia# Montowana jest jedynie dioda D 603 i zwora Z 601 w miejsce diod pozostałych. Jako tranzystorów kluczy używa się elementy z I grupy selekcyjnej o ostrzejszych parametrach seleko-jl#

Użycie germanowych tranzystorów stopowych zostało spowodowane ioh korzystnymi parametrami: niskim napięciem nasycenia, dużą wytrzymałością napięciową złącza e - h spolaryzowanego wstecznie oraz niską ceną*

Podstawowa wada germanowych przełączników - prąd upływu zatka-* nego tranzystora - jest w tym rozwiązaniu niegroźna, ponieważ wkażdej fazie.cyklu pomiarowego prądy upływu zatkanych trzech tranzystorów są odprowadzane przez nasycony czwarty tranzystor do źródła sygnału o małej oporności /masa, wyjście wzmacniacza IC 101, wyjśoie wzmacniacza dodatniego napięcia odniesienia lub 20-omowa dioda Zenera/.

4.4*4* Zespół napięć wzorcowych i zasilająoyoh

W skład tego zespołu wchodzą następujące bloki: a/ skompensowana temperaturowo dioda Zenera D 401

b/ wzmacniaoz o wzmocnieniu ^W-1 % IC 501 /inwerter/ napięcia Zenera, dostarozająoy symetryoznego dodatniego napięcia wzorcowego

o/ stabilizator napięcia -15 V d/ stabilizator napięcia +15 V

Zespół napięć ma tylko jedno źródło napięcia odniesienia. Jest to bardzo istotne w przypadku małej swobody ustalania zakresu napięć zatkania tranzystorów kluozy i optymalnego wykorzystania dynamiki wzmaoniaoza wejściowego. Zapewnia to również ko-

23