skrypt141

144

Podobnie jak w przypadku półprzewodnika typu n, półprzewodnik typu p może zostać zdegenerowany wzrastającą koncentracją domieszek (N_A). Modele pasmowe półprzewodników domieszkowanych przedstawiono na rysunku 8.9 i

144

8.10.

Rys. 8.9. Modele pasmowe półprzewodnika typu n: a) ilustracja poziomu donorowego, b) przesunięcie poziomu Fermiego, c) zdegradowany półprzewodnik typu n

Rys. 8.10. Modele pasmowe półprzewodnika typu p: a) ilustracja poziomu akceptorowego, b) przesunięcie poziomu Fermiego, c) zdegradowany półprzewodnik typu p

Ruch nośników w półprzewodnikach może być wywołany polem elektrycznym lub gradientem koncentracji czyli zjawiskami dyfuzji. Rozróżniamy więc prądy unoszenia i prądy dyfuzji. Ponieważ w półprzewodnikach istnieją dwa rodzaje ładunków, to w każdym z rodzajów prądu istnieje składowa elektronowa i składowa dziurowa. Gęstość prądu elektronów i dziur jest proporcjonalna do natężenia pola elektrycznego E:

J_n=en_nnE    (8.10)

J_p=e|i„pE    (8.11)

Całkowita gęstość prądu unoszenia pły nąca w półprzewodniku jest równa sumie gęstości prądów elektronów i dziur: