spektroskopia052

104

Liczba falowa [cm^-1]

Rys. 62. Widma Ramana dla warstwy krzemu poddanego procesowi wygrzewania w temperaturze 600 °C. 30-minutowe wygrzewanie nie prowadzi do zmiany właściwości materiału — szerokie maksima są charakterystyczne dla materiału amorficznego. Po 45 min wygrzewania pojawia się ostra linia dla 520 cm^-1 pochodząca od krzemu krystalicznego. Po dwóch godzinach wygrzewania materiał nie wykazuje obecności

amorficznego krzemu [34]

stawia widma Ramana dla cienkiej warstwy GaAs o różnej koncentracji nośników. Energia drgań układu plazmon —fonon (L⁺ —co⁺) zależy od koncentracji elektronów. Można zatem za pomocą pomiaru położenia modu plazmon —fonon wyznaczyć w szczególności koncentrację elektronów.

Spektroskopia ramanowska może być bardzo użyteczna do wyznaczania powierzchniowej koncentracji nośników.

Liczbo falowa [cm'¹]

Rys. 63. Drgania układu plazmon—fonon (oznaczone L⁺ i L~) w widmie Ramana dla GaAs typu n otrzymanego metodą MBE. Widoczna jest zależność częstości modu plazmon —fonon od koncentracji nośników [35]

Widma rozpraszania Ramana są również czułe na obecność domieszek w badanym materiale. Wprowadzenie domieszek powoduje pojawienie się lokalnych drgań wynikających z różnicy mas między atomem domieszki a atomami macierzystej sieci. Drgania takie są widoczne w widmach Ramana i stosując spektroskopię Ramana można kontrolować obecność tych domieszek. Dotyczy to jednak tylko atomów lżejszych od atomów macierzystej sieci.