6
wie przeprowadzonych badań oraz właściwe przygotowanie raportów i sprawozdań niezbędnych w przyszłej pracy tak naukowej, jak i inżynierskiej. W tym celu zamieszczono rozdział „Przebieg pomiarów w laboratorium elektroniki”.
Prezentowane obecnie nowe wydanie skryptu jest przejrzane i zmienione. W trakcie tych prac wykorzystano doświadczenia zebrane podczas używania dwóch poprzednich wydań. Tak więc napisano od nowa trzy ćwiczenia oraz dokonano wielu innych zmian.
Krzysztof Zioło
powered by
B - baza C - kolektor
D - współczynnik dyfuzji, dren E - emiter, natężenie pola elektrycznego f - częstotliwość
f0, Fo - częstotliwość drgań własnych, częstotliwość graniczna (częstotliwość wyróżniona)
g - konduktancja dynamiczna
G - bramka, szybkość generacji nośników
h21 - współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora bipolarnego
h - współczynnik zawartości harmonicznych
ht - współczynnik zawartości harmonicznych dla układu ze sprzężeniem zwrotnym
H - jako indeks oznacza stan wysoki
i - wartość chwilowa natężenia prądu
i - jako indeks oznacza półprzewodnik samoistny
Ib. Ie. Ic - prąd stały bazy, emitera, kolektora
lec - prąd zasilania (IDd)
Ii - prąd wejściowy
lo - prąd wyjściowy
lin - wejściowy prąd niezrównoważenia
los - prąd zwarcia
Ion - znamionowy prąd wyjściowy
ls - prąd nasycenia złącza p-n
If - prąd przewodzenia diody
Ir - prąd wsteczny diody
J - gęstość prądu